SK하이닉스

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끝까지가보는거야 2017. 11. 16. 15:11

II. 사업의 내용

1. 사업의 개요

가. 업계의 현황

(1) 산업의 특성

반도체는 전자 제품의 필수불가결한 부분품이며, 그 사용처 또한 컴퓨터를 비롯해 통신장비 및 통신시스템, 자동차, 디지털 가전제품, 산업기계 그리고 컨트롤 시스템 등에 이를 정도로 매우 광범위합니다. WSTS(World Semiconductor Trade Statistics, 2010년 1월)에 따르면, 지난 2009년도 세계 반도체 시장규모는 US$226십억에 이르렀으며, 이중 메모리 제품은 US$45십억의 시장규모를 기록하여 전체 반도체 시장의 약 20%를 차지하였습니다. 메모리 반도체 시장에서 가장 큰 부분을 차지하는 제품은 DRAM으로서, 지난 2009년 US$22십억을 기록하며 전체 메모리 시장에서 약 50%를 차지하였고, 그 뒤를 이어 낸드플래시와 노어플래시가 각각 33%와 10%를 차지하였습니다.

아울러 아래의 표에서 나타나는 바와 같이 반도체 산업은 국가 산업 생산 및 수출에 있어서 매우 중요한 기간 산업 중 하나입니다. 특히, 2009년은 세계 교역량의 급감으로 인한 총수출액 감소에도 불구하고, 반도체 수출은 상대적으로 선전하면서 우리나라 전체 수출에서 차지하는 비중이 2008년 7.8%에서 8.5%로 증가하였습니다.

※ 전체 수출중 반도체 비중

(단위: 백만USD, %)
구분 2005 2006 2007 2008 2009
총수출 284,419 325,465 371,489 422,007 363,770
반도체 29,986 37,360 39,046 32,793 31,041
전년비 증감율 13.1 24.6 4.5 -16 -5
비중 10.5 11.5 10.5 7.8 8.5

출처 : 지식경제부, 2010

한편, 메모리 반도체 산업은 제품 설계 기술, 공정 미세화 및 투자효율성 제고에 의한 원가 경쟁력 확보가 매우 중요한 산업으로서 기술력 및 원가경쟁력을 갖춘 소수 IDM(Integrated Device Manufacturer)업체 중심으로 점차 과점화되고 있는 추세입니다.

반도체 제품을 직접 디자인하고 제조, 판매까지 하는 업체들을 가리켜 IDM이라고 하는데 이들은 자체 디자인 능력, 제조 노하우(know-how) 및 생산 설비 등을 바탕으로 비IDM(non-IDM) 업체들에 비해 독자적 기술개발력과 제조 경쟁력을 확보함으로써 산업 내에서의 위치를 더욱 확고히 하고 있습니다. (DRAM 상위 5개 업체의 시장 점유율: 1990년 58% →2009년 90%, 출처: 가트너 데이터퀘스트 , 매출액 기준)

가) 메모리 반도체
정보를 저장 및 기억하는 기능을 하는 메모리 반도체는 일반적으로 '휘발성(Volatile)' 또는 '비휘발성(Non-volatile)'으로 분류됩니다. 휘발성 메모리 제품은 전원이 끊어지면 정보가 지워지는 반면, 비휘발성 제품은 휴대전화에 전화번호가 저장되는 것처럼 전원이 끊겨도 저장된 정보가 계속 남아 있습니다. 당사가생산하는 주요 메모리 반도체 제품은 다음과 같습니다.

[DRAM(Dynamic Random Access Memory)]
DRAM은 전원이 켜져 있는 동안에만 정보가 저장되는 휘발성(Volatile) 메모리로 주로 컴퓨터의 메인 메모리(Main Memory), 동영상 및 3D 게임 구현을 위한 그래픽스 메모리(Graphics Memory)로 사용되고있으며, 가전제품의 디지털화에 따라 디지털TV, 디지털 셋톱박스(Digital Set-top Box), DVD 플레이어 그리고 프린터 등에도 사용이 확대되고 있습니다. 또한 각종 이동통신 기기의 폭발적 성장에 따라 고성능 휴대폰과 PDA 등에도 모바일용 DRAM이 채용되고 있습니다.

[플래시메모리(Flash Memory)]
플래시메모리는 전원이 공급되지 않아도 저장된 데이터가 지워지지 않는 비휘발성 메모리로 크게 노어(NOR)형(Code저장형)과 낸드(NAND)형(Data저장형)으로 나눌 수 있습니다. 이중 당사가 생산하는 낸드플래시는 순차적(Sequential) 정보 접근이 가능한 비휘발성 메모리 칩으로서, 디지털 비디오나 디지털 사진과 같은 대용량 정보를 저장하는데 매우 적합합니다. 주로 사용되는 제품은 디지털 카메라, USB드라이브, MP3플레이어, 차량용 네비게이션 그리고 휴대폰 등입니다. 플래시메모리 사업은 DRAM 공정의활용이 가능하므로 DRAM 팹(FAB) 보유업체들에게는 신규투자를 최소화하여 수익성을 높이고DRAM 사업 변동성을 다소 보완할 수 있는 장점이 있습니다. 한편, 최근 플래시 메모리는 일반적인 범용 메모리 보다는 고객지향적인 제품의 수요가 늘어나고 있어 이런 추세에 부합하는 적극적인 응용 제품개발 및 철저한 고객대응의 필요성이 커지고 있습니다.

나) 비메모리 반도체
[CIS(CMOS Image Sensor)]

암산과 추론 등 논리적인 정보처리기능을 하는 비메모리 반도체 중에서도 이미지 센서는 빛 에너지를 감지하여 그 세기의 정도를 영상 데이터로 변환해 주는 반도체 소자로서 디지털 촬영 기기에서 필름 역할을 하고 있습니다. 이미지센서는 제조 과정과 신호를 읽는 방법에 따라 크게 CCD(Charge Coupled Device)와 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 두 가지 타입으로 나뉩니다. CMOS 타입의 경우 소자의 크기가 작고 소비 전력이 적다는 장점이 있으나, 상대적으로 CCD 타입의 이미지화질이 뛰어나다는 이유로 과거에는 고사양 촬영 기기에는 CCD 이미지 센서가 주로 사용되고 저사양 카메라폰 등에는 CMOS 이미지 센서가 주로 사용되는 형태로 시장이 이분되었습니다. 그러나 최근 CMOS 이미지센서의 노이즈를 감소시키는 기술이 비약적으로 발전하면서 이미지 품질이 크게 향상되고 디지털 촬영기기가 소형화됨에 따라, 크기가 작고 전력 소모가 적은 CMOS 이미지 센서의 활용 범위가 점차 확대되고 있으며, 디지털 일안 반사식 카메라와 캠코더 등 고화질을 요구하는 고가 제품에도 많이 사용되는 추세입니다. 이에 따라 CIS 시장에서는 기술 경쟁력과 원가 경쟁력이 점차 중요한 성공 요인으로 부각되고있습니다.

(2) 산업의 성장성

메모리 반도체 산업은 2007년 이후 공급 과잉에 따른 판매 가격의 급격한 하락과 미국 신용위기에 따른세계 경제 침체의 영향으로 2009년은 다소 저조한 성장세를 보이기도 하였지만, 2010년은 안정적인 수요를 바탕으로 높은 성장이 예상되고 있습니다. 이는 세계경기 회복과 함께 디지털화 가속화에 따라 PC등 IT제품에서의 메모리사용량이 지속적으로 확대 되고 스마트폰 시장이 급속히 성장하면서 안정적인 수요 성장이 전망되는 반면에, 점점 높아지는 기술장벽과 미세공정전환을 위한 설비투자비용의 증가 등으로 인해 선발업체와 후발업체와의 기술 및 원가경쟁력 격차가 점차 확대되면서 공급은 제한적인 성장을 보일 것으로 예상되기 때문입니다.

[DRAM]
아이서플라이(iSuppli, 2010년 1월)에 따르면, DRAM의 경우 개인용 컴퓨터와 업그레이드용 메모리 모듈이 전체 DRAM 수요의 약 65%를 차지하며 지속적으로 주요 수요처가 될 전망입니다.

특히, 개인용 컴퓨터의 이동성(Mobility)에 대한 요구가 증가함에 따라 노트북 컴퓨터로의 교체 및 신규수요가 지속되고 있으며, 개인용 컴퓨터 중 노트북의 출하 비중이 2008년 48%에서 2013년 75%로 증가할 것으로 업계는 예상하고 있습니다. 또한 PC 교체 및 신규 수요 뿐 아니라 그래픽스 및 모바일용 DRAM의 수요가 증가함에 따라 향후 DRAM 시장은 안정적으로 성장할 것으로 예상됩니다.

아울러 DRAM은 디지털화가 진전됨에 따라 점차 그 수요처가 확대되고 있으며, 특히, 3G 휴대폰 및 스마트폰의 경우 공간 활용을 위해 MCP(Multi-chip Package)형태로써 DRAM의 사용이 확대되고 있습니다. 디지털 셋톱박스, 디지털 카메라 그리고 디지털 게임기 등도 DRAM 수량 뿐만 아니라 제품별 용량 측면에서도 향후 더 많은 양을 소비할 것으로 예측되는 분야입니다.

[낸드플래시(NAND Flash)]

낸드플래시는 디지털 미디어의 성장과 더불어 디지털 카메라, MP3 플레이어, 휴대폰, 위성위치추적장치(GPS) 그리고 기타 멀티미디어 가전에 사용되는 플래시카드와 USB 드라이브 같은 휴대용 정보저장장치(Removable Storage Devices)등에 널리 사용되고 있습니다.

아이서플라이(iSuppli, 2009년 12월, 금액기준)의 전망에 따르면 낸드플래시 시장은 2009년 16%의 성장을 기록하였으며, 2010년에도 약 30% 정도의 고성장세를 보일 것으로 예상되고 있습니다. 특히 스마트폰을 포함한 휴대전화 시장에서의 메모리 카드 채용 및 노트북용 SSD, 응용복합 제품 등은 향후 낸드플래시의 수요를 견인하면서 장기적으로 성장을 지속해 나갈 것으로 전망됩니다.

[CIS (CMOS Image Sensor)]

이미지센서는 1990년대 중반 디지털 카메라에 장착되어 일반 소비자에게 선보인 이후 PC 카메라, 휴대폰, PDA, 감시카메라 등 다양한 제품에 활용되는 등 수요 증가에 힘입어 시장 규모도 크게 증가하는 추세입니다. 아이서플라이(iSuppli, 2010년 2월, 금액기준)의 전망에 따르면 이미지센서 시장은 2013년 US$87억 규모로 연평균 3%의 성장이 예상되며, 특히 당사가 생산중인 CMOS 시장은 다양한 응용기기로의 확대 적용과 수요 증가로 전체 이미지 센서 시장에서의 비중이 83%까지 증가하며 연평균 11%의 빠른 성장이 전망됩니다.

(3) 경기변동의 특성

세계 반도체 시장은 지금까지 실리콘 사이클의 순환에 따라 호황과 불황을 반복해 왔으며 제품 수명주기가 매우 짧은 특징을 가지고 있습니다. 아울러 대규모 장치 산업의 특성을 가짐과 동시에 주요 수요처인 미구주의 거시경제 순환 사이클(Business Cycle)과의 연관성이 비교적 크게 나타났으나, 최근에는 중국 및 인도 등 신흥시장의 비중이 확대되면서 반도체 경기 변동 폭은 전과 비교하여 많이 줄어들었다고 볼 수 있습니다.

[DRAM]
DRAM은 PC 수요에 크게 의존하고 있어 세계 IT 경기 사이클의 영향을 크게 받아 왔습니다. 또한, 최근에는 넷북 및 노트북PC 등의 신규 모바일 기기의 확산과 선진 시장에서의 교체 수요 및 신흥 시장에서의신규 수요가 DRAM 수요 증가에 영향을 주고 있으며, 특히, 2009년 10월 출시된 Windows7은 기업PC 교체 수요를 촉발시켜 DRAM 시장 확대에 큰 영향을 끼칠 것으로 예상되고 있습니다. 한편, 수요의 계절성으로서는 미구주 지역의 신학기, 크리스마스 특수 및 중국 춘절 등의 수요 증가로 인한 매출액 증가를 들 수 있습니다. 하지만 최근에는 아시아 시장의 성장으로 인한 판매시장의 다변화로 이 같은 전통적인 수요의 계절성이 일부 약화되는 모습도 나타나고 있습니다

[낸드플래시(NAND Flash)]
낸드플래시는 MP3 플레이어, 메모리카드 등의 수요증가에 힘입어 급속한 성장을 계속해 왔으며, 주요 공급업체들이 DRAM을 함께 생산하고 있어 DRAM 시장의 안정적 성장에도 우호적인 여건을 제공해 왔습니다. 하지만 낸드플래시의 주 수요처인 MP3 플레이어, 메모리 카드 등이 경기에 민감한 소비재 제품이기 때문에 DRAM과 마찬가지로 세계 경제 상황에 따라 경기가 함께 변동하는 특성을 가지고 있습니다.최근에는 낸드플래시의 주 수요처가 휴대폰으로 변화되어 가고 있는데, 특히 고용량 낸드플래시를 탑재하는 스마트폰 시장의 성장은 세계 경기 회복과 더불어 2010년 이후 낸드플래시 시장의 지속적인 성장을예상하게 하는 요인이라 할 수 있습니다.

[CIS (CMOS Image Sensor)]
이미지 센서 중 자사가 생산중인 CMOS 이미지센서는 모바일 핸드셋, 캠코더, PC 등 멀티미디어 기기 시장의 영향을 크게 받는 제품으로서 소비재의 특성상 경기변동과 기술변화에 매우 민감할 뿐만 아니라 라이프 사이클이 짧은 특징을 가지고 있습니다. 따라서 가격경쟁력을 지닌 제품을 적시에 출시하여 시장을 선점하는 것이 사업 성공 여부에 매우 중요한 요소라 할 수 있습니다.

(4) 경쟁요소

반도체 사업의 핵심 경쟁력은 1. 인적자원(R&D 및 엔지니어링), 2. 설비투자 능력, 3. 기술 및 원가 경쟁력, 4. 고객확보능력 등을 들 수 있으며, 이외에도 투자 재원을 적기에 확보하는 자금조달력, 적기에 시장요구에 부합하는 제품을 출시(Time to Market)할 수 있는 시장대응력 등이 요구되고 있습니다.

아울러 메모리 업계 불황기에 경쟁력 강화를 위한 기업간의 합종연횡이 진행되고 있고, MCP, 응용 복합 제품 등으로 시장 수요가 다변화되고 있어, IT 업체간 제휴 협력 능력 및 다양한 제품 포트폴리오 구축도 주요 경쟁력으로 부각 되고 있습니다.

나. 회사의 현황

(1) 영업개황 및 사업부문의 구분

(가) 영업개황
지난 2009년, 당사는 세계 경기 침체의 여파와 3년 가까이 지속된 사상 유래 없는 반도체 경기 불황 등 어려운 경영여건 하에서도 체질 개선 및 차별화된 역량 강화에 총력을 기울인 결과, 본사 기준 매출은 지난 2008년 대비 약 16% 증가한 7조 5천 2백 1십억원을 기록하여 시장 지배력을 확대하였습니다. 또한 본사기준영업손실은 1천 1백 6십억원, 당기순손실은 3천 4백 8십억원으로 전년 대비 크게 개선된 실적을 달성하였습니다.

이는 연초 이후 반도체 가격이 꾸준히 회복세를 보이는 등 하반기로 갈수록 업황이 급속히 개선된 모습을 보인 영향이 크지만, 내부적으로 2008년 하반기부터 비상경영체제를 가동하여 자구노력, 생산성 향상, 비용절감을 철저히 추구함으로써 핵심역량을 강화하고 위기 대응·관리 능력을 향상시켰기에 가능한 성과였습니다.

[본사 기준] (단위 : 백만원)
구 분 제62기 누계
(2009.01.01~2009.12.31) 제61기 누계
(2008.01.01~2008.12.31) 전년동기
대비증감
매출액 7,521,458 6,495,367 +16%
영업이익 -115,847 -2,202,187 +95%
당기순이익 -347,785 -4,719,633 +93%

(나) 공시대상 사업부문의 구분

[제62기] (단위: 백만원)
구 분 매출액 매출액 비중 (%) 주 요 제 품
반도체 부문 7,521,458 100.0% DRAM, 낸드플래시, MCP 등
합계 7,521,458 100.0%

※ 당사는 한국표준산업분류표상의 소분류에 의한 '반도체 및 기타 전자부품 제조업(분류번호: 321)'에 해당하며, 반도체부문의 매출액이 총매출액의 90%를 초과하므로 반도체부문으로 기재함.

(2) 시장점유율 등

구 분 '09년 3분기 '09년 2분기 '09년 1분기 '08년 '07년 '06년 '05년 비 고
DRAM 21.7% 21.7% 21.2% 19.4% 21.3% 16.6% 16.4% ☞ iSuppli 매출액 기준
낸드플래시 10.0% 10.4% 8.3% 12.3% 17.0% 17.7% 12.8%

(3) 시장 경쟁요소 및 회사의 경쟁력

(가) 메모리반도체 사업

[DRAM]
메인 메모리(Main Memory) 사업의 경우 범용적인 특성이 강한 데스크탑(Desktop)용 제품 비중은 점차낮아지고 있으며, 가격이 높고 품질의 신뢰성이 바탕이 되어야 하는 고용량(High Density) 서버용 제품 비중이 확대되고 있습니다. 이동성의 확대로 노트북(Notebook)의 비중이 점차 늘어나고 있으며 노트북중에서도 인터넷 사용을 주 목적으로 하며 기존 노트북 대비 저가, 저전력을 장점으로 하는 넷북(Netbook)의 성장세가 두드러지고 있습니다. 글로벌 금융위기에 따른 경기 침체에도 불구하고 Windows7의 출시와 예상을 상회하는 견조한 개인용 PC수요에 힘입어 2009년 PC시장은 1.7% 성장하였습니다.(IDC기준) 또한 Windows7은 향후 기업용 PC의 교체 주기와 맞물려 DRAM 시장에 긍정적인 영향을 줄 것으로 전망하고 있습니다.

서버의 경우 가상화 기술 도입 및 쿼드 코어 프로세서(Quad Core Processor)를 탑재한 하이엔드(High-end) 시스템 출시 증가로 고용량, 저전력 모듈(Module) 사용량이 증가되고 있습니다. 이에 당사는 인텔의 고용량 서버 애플리케이션(Server Application) 등에 적합한 고용량, 저전력 모듈 제품군을 갖추고,서버 시장에서의 경쟁력을 확보하여 고성능 제품으로 시장을 선도하고 있습니다.

그래픽스 메모리(Graphics Memory)는 동영상 및 3D 그래픽 기술의 발전과 함께 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 당사는 주요 그래픽 칩셋 업체들과의 전략적 관계강화를 통하여 데스크탑, 노트북PC용 그래픽 분야 및 게임콘솔 분야에서 주도적인 위치를 공고히 하고 있습니다. 2009년 12월에 44나노 공정의 2Gb GDDR5를 세계최초로 개발하여 초고속 고용량이 요구되는 그래픽시장에서 세계 최고 수준의 기술리더십을 확보였습니다.

컨수머 메모리(Consumer Memory)시장은 디지털 TV, 디지털 셋톱박스(Set-top Box), DVD 플레이어 등 일상생활의 가전제품들과 네트워크시스템, 하드/광학드라이브, 프린터, 복합기 등 PC주변기기 등에 사용됩니다. 당사는 고도화된 디지털기기의 특성에 맞도록 패키지를 FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)로 구현하여 애플리케이션 변화 추세에 대응 가능한 신제품 개발에 집중하는 한편, 극한 추위와 더위에도 견딜 수 있는 제품(IT Part, Industrial Temperature Product)이나 친환경제품(Halogen-free), 하나의 패키지 안에 몇 개의 반도체 칩을 넣을 수 있게 하는 Known Good Die 제품 및 소형 시스템에 적합한 Fine Pitch BGA 등 고객들의 다양한 요구에 적극적으로 대응하고 있습니다.

모바일 메모리(Mobile Memory)는 휴대전화, 디지털 카메라, MP3 플레이어 등의 다양한 수요처가 있으며 라이프 스타일 변화에 따른 IT 수요 증가와 정보통신 융합(Convergence)의 가속화로 향후 가장 성장성이 높을 것으로 예상되는 제품입니다. 이중에서도 대용량 메모리를 필요로 하는 스마트폰은 2009년 전체 휴대전화 시장의 정체에도 불구하고 플러스 성장을 하였습니다. 이에 당사는 2010년 1월 44나노 기술을 적용한 최고속 2Gb Mobile DDR2 DRAM을 개발하여 고용량화, 저전력화, 소형화 되고 있는 모바일 시장에서 기술 리더십으로 시장을 선도하고 고객의 요청에 적극 대응하고 있습니다.

[낸드플래시]
낸드플래시는 데이터 저장 용도로 쓰이는 대표적인 메모리 반도체로서, 다른 반도체와 비교할 수 없는 빠른 테크놀로지의 진화로 매년 폭발적인 성장률을 기록하는 제품군입니다.

낸드플래시 시장이 이와같은 성장세를 지속하는 이유는 성장기에 있는 최첨단 IT 제품들이 낸드플래시의 수요를 직접적으로 견인하고 있기 때문이며, 또한 끊임없는 신제품 출시와 새로운 킬러 어플리케이션(Killer Application)의 꾸준한 등장도 시장 확대에 큰 몫을 하고 있습니다.

현재는 스마트폰, 플래시카드, USB 드라이브, MP3 플레이어, PMP, 네비게이션 등이 낸드플래시 메모리의 주요 수요처이나, 향후에는 SSD(Solid State Drive)처럼 낸드플래시를 기반으로 한 다양한 형태의 PC Storage Solution이 개발되어, 노트북은 물론이고 서버 시장에도 공급될 예정이어서, 낸드플래시에 대한 수요를 지속적으로 견인할 것으로 예상하고 있습니다. 특히, 11억대가 넘는 휴대폰 시장에서의 외장 메모리 탑재율 증가 및 멀티 미디어 기능의 지속적 증대로 인한 고용량 메모리 수요의 증가는 낸드플래시 시장 성장에 큰 기여를 할 것으로 기대되고 있습니다.

낸드플래시는 빠른 기술 진보와 미세화 공정의 가속화를 통하여 생산성 및 원가 경쟁력을 빠르게 확보해나가고 있습니다. 또한, 대용량, 저전력 소비, 저소음, 안정성 등과 같은 낸드플래시가 가진 많은 장점들로 인해 향후 주요 기록 매체들을 단계적으로 대체해 나갈 것으로 예상됩니다.

(나) 비메모리반도체 사업

회사는 지난 2007년 11월, 제품 포트폴리오를 더욱 다양화하고, 기존 메모리 사업 역량을 활용하여 안정적인 수익성과 높은 투자효율성이 기대되는 CMOS 이미지 센서 사업에 재진출하였습니다.

[CMOS 이미지 센서(CIS)]
CMOS 이미지 센서는 카메라폰, 디지털 카메라, 웹캠 등 디지털 촬영 기기에서 필름 역할을 하는 반도체소자이며, 2013년까지 약 18%의 연평균 성장률이 예상되는 제품입니다. (출처: 시장조사업체 Techno-Systems Research, 출하량 기준)

현재는 휴대 전화에 가장 많이 쓰이고 있으나 주변 회로가 필요 없고 전력 소모가 적은 장점과 함께 최근기술 발전으로 화질이 크게 향상되면서 의료 기기, 고사양 DSLR 및 캠코더, 자동차, 보안용 장비 등으로 응용 범위가 급속히 확대되고 있습니다. 또한 최근 3G 통신용 휴대 전화에 사진 촬영과 화상 통화를 위해 두 개의 이미지 센서가 장착되고 차량에도 다양한 기능을 하는 여러 개의 이미지 센서가 부착되는 등 기기당 이미지 센서 탑재 개수도 늘어나는 추세입니다. 또한 활용 범위가 넓어지며 점차 다양한 크기와 성능을 가진 제품이 요구됨에 따라 어플리케이션별로 기능이 차별화되어 시장이 점차 세분화되고 있습니다. 이와 더불어 이미지 화질을 높이고 제품 크기를 줄이면서도 원가를 절감할 수 있는 신기술의 도입이 활발하게 이루어지고 있으며 이미 다양한 기술들이 시장에 소개되고 있어, 향후 CIS 제품의 활용 범위와 수요는 점차 확대될 것으로 예상됩니다.

당사는 CIS 전문개발 업체인 실리콘화일社와 협력관계를 확대하여 사업역량을 강화함은 물론, 적극적인프로모션을 통해 2009년 5월부터 주요 휴대전화 생산업체에 200만 화소급 제품을 납품하기 시작하였으며, 2009년 7월부터 VGA급 제품을 납품하는 실적을 기록하는 등 활발하게 고객활동을 진행하고 있습니다.

이와 더불어 고화소수 제품의 비중이 빠르게 증가하고 있는 시장의 추세에 발 맞추어 5백만 화소급 등 고화소 제품의 개발에도 박차를 가하고 있으며, 원가 경쟁력과 기술 경쟁력을 한층 강화하기 위해 2010년 6월에는 90nm 공정/1.4um 픽셀 기술을 적용한 3백만 화소급 상품을 개발하여 시장에 출시할 예정입니다. 현재는 국내와 중국,대만 지역에서 CIS 제품의 수요가 가장 높은 카메라폰과 웹캠 시장을 중심으로 마케팅 활동을 진행 중이나, 앞으로는 한층 강화된 사업 역량을 바탕으로 대상 지역과 어플리케이션을 다양화하여 CIS 시장에서의 입지를 확대해 나갈 계획입니다.

(4) 조직도

이미지: 조직도
조직도

다. 사업부문별 재무정보

당사는 반도체제조업부문의 매출액과 자산총액이 전체부문의 90%를 초과하여 지배적 단일사업부문으로써 부문별 기재를 생략합니다.

2. 주요 제품, 서비스 등

가. 주요 제품 등의 현황

(단위 : 백만원)
사업부문 매출유형 품 목 구체적용도 주요상표등 매출액(비율)
반도체 부문 제품 외 DRAM, 낸드플래시, MCP 등 산업용 전자기기 하이닉스 7,521,458(100%)
합계 7,521,458(100%)

나. 주요 제품 등의 가격변동추이

(단위 : USD)
품 목 제62기 연간 제61기 연간 제60기 연간
DRAM
(COMPONENT) 수 출 1.37 1.13 1.78
내 수 0.99 1.04 1.43
DRAM
(MODULE) 수 출 25.25 22.77 34.62
내 수 18.12 17.78 28.43
낸드플래시
(COMPONENT) 수 출 3.97 2.66 4.98
내 수 2.37 2.37 4.26
낸드플래시
(MODULE) 수 출 43.73 - -
(1) 산출기준 : 시장판매가 기준(용량(Density)별 제품군의 단순 평균 가격)
☞ 상기 자료는 Density 변화를 감안하지 아니한(기준 Density에 대한 환산수량 미적용) 단순 평균 공급가격임.
(2) 주요 가격변동원인
☞ 제품의 고급화 및 시장상황(수출)에 따른 판가변동 등

3. 주요 원재료에 관한 사항

당사의 메모리반도체 부문 생산공정에 투입되는 원재료는 크게 Wafer, Lead Frame 및 Substrate, PCB(Printed Circuit Board) 그리고 기타 재료 등으로 구성됩니다.

Wafer는 집적회로(Integrated Circuit, IC)를 제작하기 위해 반도체 물질의 단결정을 성장시킨 기둥 모양의 규소(Ingot)를 얇게 절단하여 원판모양으로 만든 것으로서 반도체 소자를 만드는 데 사용되는 핵심 재료입니다.

Lead Frame은 반도체 IC를 구성하는 또 다른 주요 요소이며 반도체 칩과 PCB 기판간의 전기신호를 전달하면서 외부의 습기, 충격 등으로부터 칩을 보호하고 지지해주는 골격 역할을 하는 부품입니다.

Substrate는 Lead Frame과 같은 기능을 하지만 전기신호를 전달하는 역할을 하는 다리를 기존의 금속 다리가 아닌 공(Ball) 모양의 연결부분을 이용한 부품입니다.

PCB는 그 위에 저항 콘덴서 코일 트랜지스터 집적회로 대규모 직접회로(Large-Scale Integration) 스위치 등의 부품을 장치하고 납땜하여 회로기능을 완성시키는 인쇄 배선판입니다. 그 외 가스 및 화학약품 등이 반도체 제조 공정에 투입되는 원재료로 소요됩니다.

가. 주요 원재료 등의 현황

(단위 : 백만원, %)
사업부문 매입유형 품 목 구체적용도 투입액 비율 비 고
반도체 부문 원재료 Wafer F A B 2,423,860 65.00 -
Lead Frame P K G 130,768 3.51 -
PCB M O D 126,807 3.40 -
기타
582,480 15.62 -
소계 3,263,916 87.52 -
저장품 S/P , 부재료
465,327 12.48 -
합 계 3,729,243 100.00 -

나. 주요 원재료 등의 가격변동추이

(단위 : 원)
구 분 제62기 연간 제61기 연간 제60기 연간
반도체 부문 Wafer           112,004           105,049 81,301
Lead Frame                  49                    59 63
PCB              1,192              1,463 1,388
(1) 산출기준
    ▷ 총매입액 / 총매입수량
(2) 주요 가격변동원인
    ▷ 투입제품 변경, 생산성 향상 및 수요변화 등에 따라 가격 변동함.
    ▷ 환율변동

다. 주요 원재료의 매입처 및 원재료 공급시장과 공급의 안정성

당사는 일본의 2개사, 독일의 1개사, 한국 1개사로부터 반도체 공정의 주요 원자재인 300mm Wafer 완제품을 거래 및 수입 하고 있습니다. 당사는 당사와 거래하는 매입처 등과 일상적인 영업활동 이외의 특수한 관계를 갖고 있지 않습니다. 국산화 확대 및 국내 기업과의 상생확대를 위해 한국 1개사의 비율을 높이는 추세에 있습니다. 당사가 거래하고있는 상기 4개사는 전체 300mm Wafer 시장의 90%를 차지하고 있습니다. 이중 일본의 2개사는 전체 300mm Wafer 시장의 60%수준을 점유하고 있으며, 당사도 동 2개사로부터 전체 Wafer 구매 수량의 70%를 조달하고 있습니다.

Wafer는 그 원재료가 되는 Poly Silicon의 수급 동향에 따라 300mm Wafer 완제품 가격이 큰 영향을 받습니다. 특히, Poly Silicon은 Wafer 이외에도 태양전지(Solar Cell)의 원료로도 사용되기 때문에 태양전지의 수요에 따라 Poly Silicon의 일시적 부족현상이 발생하면Wafer의 공급에 영향을 줄 수 있습니다. 따라서, 당사는 주요 원재료인 Wafer의 원활한 확보를 위해 유가 및 Poly Silicon 시장의 가격동향은 물론, 동일한 원재료를 사용하는 태양전지 수급동향을 시장조사기관의 자료 및 동종 업계의 정보교류를 통하여 지속적으로 모니터링하고 있습니다.

한편, 2008년말부터 시작된 소자업체의 재고감소에 영향을 받아 Wafer 공급업체들의 가동율이 50% 수준까지 하락하기도 하였으나, 2009년말 현재 업황개선에 힘입어 94% 수준까지 회복 되었습니다.

당사는 주요 원자재인 300mm Wafer의 안정적 공급을 위해 적정재고 확보 및 각 업체들과의 긴밀한 협력관계를 유지하고 있습니다.

4. 생산 및 설비에 관한 사항

가. 생산능력 및 생산능력의 산출근거

당사는 국내사업장 기준 4조 3교대로 운영되고 있으며, 휴일(공휴일 포함)을 포함하여 2009년 총 가동일은 365일로, 각 지역별 FAB의 가동인원 및 수율을 고려하여 계산한 당사의 평균가동시간은 월 7,212,241시간입니다.

생산능력은 "해당분기내 최대생산월의 생산량ⅹ누적개월수ⅹ평균원가"의 방법으로 산출하고 있으며, 2009년 생산능력은 200mm FAB의 가동중단으로 전년도 대비 약 20% 감소한 8,362,243백만원 입니다

(1) 생산능력

(단위 : 백만원 )
사업부문 사업소 제62기 연간 제61기 연간 제60기 연간
반도체 부문 이천, 청주 8,362,243 10,404,564 8,821,782

나. 생산실적 및 가동률

당사의 2009년 생산실적은 200mm FAB의 조기 가동중단으로 전년도 대비 15% 감소한 7,073,854백만원으로 집계되었으며, 전반적인 반도체 제품의 수요증가 및 가격상승으로 인해 동 기간 생산설비의 평균가동률은 86%를 유지하였습니다.

(1) 생산실적

(단위 : 백만원)
사업부문 사업소 제 62기 연간 제 61기 연간 제 60기 연간
반도체 부문 이천, 청주 7,073,854 8,336,684 7,670,606

(2) 가동률

(단위 :시간, %)
사업소(사업부문) 연간가동가능시간 연간실제가동시간 평균가동률
반도체 부문 100,906,440 86,546,897 86%
※가동률은 각 지역별 FAB의 가동인원 및 수율을 고려하여 계산함.

다. 생산설비의 현황

[자산항목 : 토지] (단위 : 백만원 )
사업소 소유형태 소재지 구분(㎡) 기초장부가액 당기증감 당기상각 기말장부가액 비고
증가 감소
이천
본사 자가소유 이 천 946,167 164,188 102 335 - 163,955 -
청주
공장 청 주 440,200 95,489 1 46 - 95,444 -
기타 일산외 27,994 18,323 0 14,884 - 3,439 -
합 계 1,414,361 278,000 103 15,265 - 262,838 -

[자산항목 : 건물 ] (단위 : 백만원)
사업소 소유형태 소재지 기초장부가액 당기증감 당기
상각 기말장부가액 비고
증가 감소
이천
본사 자가소유 이 천 516,373 19,184 4,388 16,003 515,166 -
청주
공장 청 주 534,534 2,424 65 19,164 517,730 -
구미
공장 구 미 3,749 0 0 285 3,464 -
기타 일산외 31,820 0 29,982 503 1,335 -
합 계 1,086,476 21,608 34,435 35,955 1,037,695 -

[자산항목 : 구축물 ] (단위 : 백만원)
사업소 소유형태 소재지 기초장부가액 당기증감 당기
상각 기말장부가액 비고
증가 감소
이천
본사 자가소유 이 천 101,843 761 0 14,553 88,051 -
청주
공장 청 주 7,242 82 0 817 6,507 -
구미
공장 구 미 5,875 0 0 591 5,284 -
기타 일산외 2,125 0 1,970 155 0 -
합 계 117,085 843 1,970 16,116 99,842 -

[자산항목 : 기계장치 ] (단위 : 백만원)
사업소 소유형태 소재지 기초장부가액 당기증감 당기상각 기말장부가액 비고
증가 감소
이천
본사 자가소유 이 천 3,849,670 336,469 144,179 1,123,747 2,918,213 -
청주
공장 청 주 1,996,415 361,478 60,470 550,986 1,746,410 -
구미
공장 구 미 2,307 0 0 950 1,357 -
합 계 5,848,392 697,947 204,676 1,675,683 4,665,980 -
※ 당기증감은 사업부문간 고정자산 이동을 포함한 자료임

[자산항목 : 차량운반구 ] (단위 : 백만원)
사업소 소유형태 소재지 기초장부가액 당기증감 당기상각 기말장부가액 비고
증가 감소
이천
본사 자가소유 이 천 69 0 0 27 42 -
청주
공장 청 주 68 0 0 22 46 -
서울
사무소 서 울 67 0 0 24 43 -
합 계 204 0 0 73 131 -
※ 당기증감은 사업부문간 고정자산 이동을 포함한 자료임

[자산항목 : 기타의 유형자산 ] (단위 : 백만원)
사업소 소유형태 소재지 기초장부가액 당기증감 당기
상각 기말장부가액 비고
증가 감소
이천
본사 자가소유 이 천 129,819 9,923 1,013 44,996 93,732 -
청주
공장 청 주 44,591 1,361 474 13,822 31,656 -
구미
공장 구 미 0 0 0 0 0 -
서울
사무소 서 울 924 146 22 379 669 -
합 계 175,334 11,430 1,509 59,197 126,057 -
※ 당기증감은 사업부문간 고정자산 이동을 포함한 자료임

[자산항목 : 건설중인 자산 ] (단위 : 백만원)
사업소 소유형태 소재지 기초장부가액 당기증감 당기상각 기말장부가액 비고
증가 감소
이천
본사 자가소유 이 천 72,345 171,659 176,593 0 67,411 -
청주
공장 청 주 100,577 200,073 235,401 0 65,249 -
서울
사무소 서 울 0 7 7 0 0 -
합 계 172,922 371,739 412,001 0 132,660 -

라. 투자계획

당사의 2010년 입고기준 투자금액은 해외 현지 생산법인을 포함하여 약 2.3조원이며, 이에는 청주 신규 300mm 공장 신설에 따른 투자금액이 포함되어 있습니다. 아울러 동 투자금액은 시장상황 및 경영환경 변화에 따라 변경될 수 있습니다.
[관련공시: 2009년 12월 24일자 주요경영사항등 관련내용(공정공시)]

한편, 2009년 당사의 본사 입고실적 기준 투자집행 금액은 다음과 같습니다.

[본사, 입고실적기준] (단위 : 십억원)
사업부문 구 분 투자대상자산 투자효과 투자 기간 총 투자액
(계획) 기투자액 향후
투자액 비 고
제61기 이전 제62기
본사 보완투자 기계장치 외 생산능력증가 2009.01.01~2009.12.31 - - 232 - -
신규투자 청주 신규 M11
공장신설 300mm
생산능력확충 2007.04.01~2011.12.31 2,100 791 158 1,151 -
합 계 - 791 390 - -

5. 매출에 관한 사항

가. 매출실적

(단위 : 백만원)
사업부문 매출유형 품 목 제62기 제61기 제60기
반도체 부문 제품 외 DRAM,
낸드플래시, MCP 등 수 출 7,254,023     6,289,675 8,248,864
내 수 267,435        205,692 184,891
합 계 7,521,458     6,495,367 8,433,755
합 계 수 출 7,254,023     6,289,675 8,248,864
내 수 267,435        205,692 184,891
합 계 7,521,458     6,495,367 8,433,755

나. 판매경로 및 판매방법 등

(1) 판매조직

국내에서는 마케팅 본부 내 국내영업팀 관할 하에 대리점 5개사를 운영하고 있습니다. 해외 판매법인은 미국, 독일, 영국, 일본, 싱가포르, 인도, 홍콩, 대만, 중국 등 총 9개 국가에 소재하고 있으며 산하에 21개 지사 및 16개 대리점을 두고 있습니다.

(2) 판매경로

당사의 판매 경로는 크게 직판 거래와 대리점 거래로 나눌 수 있습니다. 직판 거래는 당사에서 일반 기업체 등 실 수요자에게 직접 판매를 하는 것이고, 대리점 거래는 당사가 대리점을통해서 일반 기업체 등의 실 수요자에게 판매하는 것입니다.

(3) 판매방법 및 조건

내수 판매는 국내 대리점 등의 수주 현황에 의거하여 현금 또는 어음 결제조건으로 납품하고 있으며, 수출은 MASTER L/C 및 LOCAL L/C에 의거하여 신용장 또는 D/A, D/P 거래 등으로 납품하고 있습니다.

(4) 판매전략

당사 판매 전략은 '재무 안정성 확보', '수익경쟁력 확보', '경영 체질 혁신', '미래 경쟁력 확보' 등 4가지를 근간으로 하고 있습니다.

재무 안정성 확보를 위해서 전략고객의 매출기반을 확대하고 판매 가능한 제품을 우선으로 제품 믹스를 운영하여 재고 건전화를 추구하고 있습니다.
수익 경쟁력 확보를 위해서 모바일 제품 매출을 중심으로 서버, 그래픽스, 컨수머, 모바일 응용분야의 매출 확대를 위한 제품 구성을 다양화 하고 있으며 신제품의 조기 사업화로 제품 경쟁력을 강화하고 있습니다.
경영 체질 혁신을 위해서 전사 협업 역량 강화를 통한 시스템 운영 기반 확충 및 성과 극대화를 추진하고 있습니다.
미래 경쟁력 확보를 위해서 신규 사업 확대 및 차세대 기술 리더십 확보를 지속 추진하고 있습니다.

(5) 주요 매출처

DRAM의 경우, DELL, HP 등 세계 유수의 PC 또는 PC 관련 전자 업체에 제품을 공급하고 있습니다.

낸드플래시는 IT 컨수머 제품 전체에 걸쳐 그 수요처가 다양하기 때문에, APPLE 등 세계적인 PC 및 IT 제품 제조업체, 메모리 모듈 업체, 그리고 휴대용 저장장치와 메모리 카드 생산 업체 등을 고객으로 확보하고 있습니다.

6. 수주상황

당사는 주요 고객사들과 월별 상호 합의에 따른 공급 물량 및 가격을 결정하고 있으며, 장기 공급 계약에 따른 수주 현황은 없습니다.

7. 시장위험과 위험관리

가. 주요 시장위험 요소

당사는 외화표시 자산 및 부채의 환율변동에 의한 리스크를 최소화하여 재무구조의 건전성 제고 및 예측 가능 경영을 통한 경영의 안정성 실현을 목표로 환리스크 관리에 만전을기하고 있습니다. 특히 당사는 영업측면에서 매출의 90% 이상이 US$로 연동되어 US$ 수입이 지출보다 많은 현금흐름을 가지고 있으므로 환율하락에 따른 환차손이 환리스크 관리의 주 대상입니다.

나. 회사의 위험관리 정책

당사는 보다 체계적이고 효율적인 환리스크 관리를 위하여 주요 글로벌 금융기관으로부터 환리스크 관리에 대한 컨설팅을 받은 바 있으며, 환위험 관리규정 제정, 외환관리위원회 구성 및 환리스크 관리를 위한 별도의 전담 인원을 배정하여 운영하고 있습니다.

(1) 위험관리의 일반적 전략

[위험관리규정]
당사는 환리스크 관리를 위한 외환거래에 있어 환관리시행규칙을 명문화하여 엄격히 시행하고 있으며, 그 주요 내용은 ①외환거래는 환 리스크를 회피하고 안정적 경영 수익을 확보 하기 위해 실행되어야 하며, ②실 수요와 공급에 의한 거래를 원칙으로 하고 ③환위험 관리의 기본 정책은 회사 내부적으로 자연적 헤지(Natural Hedge)를 우선으로 하고 자연적 헤지가 불가능할 경우 선물환 등 외부적 관리기법을 시행하고, ④회사의 환위험 관리는 주관부서에서 집중하여 관리하며, 주관부서는 환포지션을 파악하여 환위험관리위원회가 설정한 지침에 따라 헤지 거래를 시행하고 있습니다.

[파생상품계약 운용]
당사는 파생상품계약을 환위험 헤지 목적으로 운용하고 있으며, 동 파생상품계약은 기말외화 부채의 10% 수준으로 관리되고 있습니다.

(2) 위험관리조직 및 운영 현황

당사는 외환관리에 관한 최고 의사결정기구로서 외환관리위원회를 설치·운영하고있으며, 외환관리위원회의 주요 업무는 다음과 같습니다.
① 외환 관리 정책, 전략 심의 및 의결
② 외환 관리 규정의 제정 및 개정
③ 환관리 목표 및 최대 허용 손실한도의 설정
④ 환위험 헤지 범위 및 헤지 비율, 관리수단 등의 조정
⑤ 환포지션, 환율 변동 영향, 환율 전망 등 환관련 정보의 공유
⑥ 글로벌 통화별 Matching 비율 확대 방안 협의

다. 위험관리 관련 추진사항

당사는 위의 환위험 관리 현황에서와 같이 규정 및 조직을 완비하여 체계적인 환위험 관리를 적극적으로 수행하고 있으며, 보다 완전하고 체계적인 환리스크 관리를 위하여 전문교육을 통한 외환 전문인력을 양성하고 환리스크관리 시스템의 전산화를 구축하고 있습니다.

8. 파생상품 거래현황

가. 통화스왑계약 현황

당사는 종합적 외화 자산 부채 관리의 일환으로 영업상의 환율 변동 영향을 축소하기 위하여 아래 표와 같이 통화스왑 거래를 체결하고 있습니다. 2006년 12월 26일에 발행한 무보증 공모 사채(600억원, 만기 3년)는 2009년 12월 26일로 만기가 되어 상환 완료하였습니다.

파생상품 거래를 매매목적의 거래로 분류하여 회계처리하고 있으며 발생된 손익은 기업회계기준에 따라 당기손익으로 인식하였습니다. 파생상품의 공정가액은 거래은행이 제공한 평가내역을 이용하였습니다. 파생상품계약과 관련하여 2009년 기말 재무제표에 반영된 평가이익은 10,290백만원 거래이익은 8,442백만원입니다.
(단위 : 백만원)
계약일 만기일 매입
통화 매입
금액 매입이자
약정율(%) 거래가격 매도
통화 매도금액
(백만불) 매도이자
약정율(%) 평가손익 (백만원) 예금
담보 담보
금리 은행
당기 이전
(~'08년) 제 62기 누계
07/5/25 12/5/25 KRW 50,000 5.70% 933.20 USD 54 Libor 3M+0.95% -15,125 3,455 -10,494 - - 외환은행
07/5/25 12/5/25 KRW 50,000 5.70% 933.25 USD 54 Libor 3M+0.95% -15,154 3,378 -10,591 - - 산업은행
07/5/25 12/5/25 KRW 50,000 5.70% 933.50 USD 54 Libor 3M+0.95% -15,148 3,457 -10,511 - - 우리은행
소계

150,000

161
-45,426 10,290 -31,596 - -

나. 특정금전신탁 수익권 옵션계약 현황

당사는 대만 프로모스(ProMOS)社 보통주식 인수를 위해 참여한 재무적 투자자들과 2008년 8월 21일에 특정금전신탁 수익권 옵션 계약을 체결하였습니다. 재무적 투자자들은 ㈜한국외환은행의 특정금전신탁 가입을 통하여 프로모스社가 사모로 발행한 신주를 일정 가격으로 인수하였으며 당사에 대하여 특정금전신탁 수익권 매수를 요구할 권리를 가지고 있습니다.

재무적 투자자들의 특정금전신탁 투자원금은 총 120,000백만원이며 특정금전신탁 수익권 옵션의 평가는 매 기말에는 외부평가 기관을 통하여 기중에는 당사에서 자체적으로 평가 하고 있습니다. 특정금전신탁 수익권 옵션에 대한 제조건과 2009년 재무제표에 반영된 평가 손익은 다음과 같습니다.
(단위 : 백만원, 만주)
투자자 특정금전
신탁금액 프로모스사
주식수 대상수익권 행사기간 행사금액 평가손익 비고
(주)하나은행 1,000 480 프로모스-하나1호 08/11/17~08/11/30 1,578
행사
4,000 1,920 프로모스-하나2호 09/07/01~09/07/14 5,028
행사
2,000 960 프로모스-하나3호 09/11/17~09/11/30 2,440
행사
3,000 1,440 프로모스-하나4호 10/07/01~10/07/14 3,698 -473

4,000 1,920 프로모스-하나5호 10/11/17~10/11/30 4,291 44

6,000 2,880 프로모스-하나6호 11/07/01~11/07/14 6,323 158

소계 20,000 9,600 - - - -271

(유)프로모스엔에이치 2,500 1,200 프로모스-NH1호 08/11/17~08/11/30 3,909
행사
10,000 4,800 프로모스-NH2호 09/07/01~09/07/14 12,509
행사
5,000 2,400 프로모스-NH3호 09/11/17~09/11/30 6,074
행사
7,500 3,600 프로모스-NH4호 10/07/01~10/07/14 9,202 -1,182

10,000 4,800 프로모스-NH5호 10/11/17~10/11/30 10,710 112

15,000 7,200 프로모스-NH6호 11/07/01~11/07/14 15,789 394

소계 50,000 24,000 - - - -676

(주)티와이프로 12,500 6,000 프로모스-동양1호 09/07/01~09/07/14 16,650
행사
12,500 6,000 프로모스-동양2호 10/07/01~10/07/14 15,613 -1,971

12,500 6,000 프로모스-동양3호 11/01/01~11/01/14 13,546 232

12,500 6,000 프로모스-동양4호 11/07/01~11/07/14 13,014 329

소계 50,000 24,000 - - - -1,410

합계 120,000 57,600 - - 140,374 -2,357

9. 경영상의 주요계약 등

계약 상대방 항목 내용 비고
무석산업발전집단유한공사 계약 유형 공동 투자를 통한 반도체 후공정 전문합작회사 설립계약

계약 기간 2009년 5월 17일~

목적 및 내용 중국 내 일괄생산체제 구축을 통한 제조 및 물류 효율성 증대와 원가경쟁력 강화, 안정적 외주처 확보

기타 주요내용 양사의 협의로 합작법인을 후공정 전문회사로 장기 육성, '합작사는 향후 5년간 하이닉스에 후공정 장기 외주 임가공 제공 및 장비운용/교육을 위한 인력파견

Numonyx B.V. 계약 유형 낸드 플래시 기술 및 제품 공동 개발

계약 기간 2008년 8월 5일 ~

목적 및 내용 차세대 낸드 플래시 기술 및 솔루션 제품 공동 개발로 사업경쟁력 강화

기타 주요내용 양사의 기술 및 인력을 공동 투입하여 차세대 낸드 플래시, 소프트웨어, 솔루션 제품에 대해 공동 개발 진행

C&S Technology Ltd. 계약 유형 공동개발 및 파운드리 공급계약

계약 기간 2008년 7월 14일~

목적 및 내용 설계 및 파운드리 전략제휴를 통한
시스템반도체분야 사업경쟁력 확보

기타 주요내용 자동차용 반도체 공동개발, 씨엔에스社에 자사 파운드리 제공, 씨엔에스社는 당사에 디자인서비스 제공, 씨엔에스社의 일정지분취득

SiliconFile
Technologies Inc. 계약 유형 기존 파운드리 계약범위 확대 및
경영권인수를 위한 주식매매계약

계약 기간 2008년 7월 21일~ 본계약체결일
목적 및 내용 경영권 인수를 통해 기존의 단기적, 상호경쟁력
협력모델을 중장기적, 상호 보완적 협력모델로 전환

기타 주요내용 2007년 11월 13일의 기존 CMOS 이미지 센서분야 기술공동개발, 판권허여 및 파운드리협력계약의 제품 계약범위 확대 및 실리콘화일社 지분 30% 확보로 최대주주로서 경영에 참여

Phison Electronics
Corp. 계약 유형 제품공급 및 공동개발계약

계약 기간 2008년 6월 18일~

목적 및 내용 제품 공급 및 낸드플래시 응용기기 기술확보로
사업경쟁력 강화

기타 주요내용 파이슨社에 당사의 낸드플래시 제품 공급, 파이슨社와 낸드 플래시 응용제품 공동개발 파이슨社의 일정지분취득

Grandis Inc. 계약 유형 공정기술 라이선스 및 공동개발계약

계약 기간 2008년 3월 10일 ~

목적 및 내용 STT-RAM 기술 확보 및 차세대 메모리 역량 강화

기타 주요내용 STT-RAM 기술 확보 및 제품개발 공동 연구

Fidelix Co., Ltd. 계약 유형 설계용역, 파운드리 공급 및 판권허여 계약

계약 기간 2008년 3월 19일 ~ 2013년 3월 18일

목적 및 내용 200mm 팹(FAB) 활용성 및 수익성 강화와
다양한 제품설계기술 확보

기타 주요내용 피델릭스社는 당사에 설계용역 제공, 당사의 파운드리서비스를 피델릭스 측에 제공, 동 생산제품의 판권 허여, 피델릭스 지분취득 권리 확보

SiliconFile
Technologies Inc. 계약 유형 공동연구개발, 판권 허여 및 파운드리 공급계약

계약 기간 2007년 11월 13일~

목적 및 내용 CMOX 이미지센서 기술협력 및
안정적인 조기 CIS시장진입 기회 확보

기타 주요내용 실리콘화일社의 휴대폰용 CMOS 제품 판권을 당하에
허여하였으며, 향후 제품 공동개발, 당사의 파운드리서비스를 실리콘화일社에 제공

Ovonyx Inc. 계약 유형 공정기술 라이선스 및 기술 도입

계약 기간 2007년 10월 1일~2027년 10월 1일

목적 및 내용 PRAM 기술 확보 및
차세대 메모리개발 역량 강화

기타 주요내용 PCM 기술이 구현된 메모리제품을 생산/판매할 수 있는 비독점적, 비양도성 라이선스를 당사에 허여

Innovative Silicon
Inc. 계약 유형 공정기술 라이선스 및 기술 도입

계약 기간 2007년 7월 16일 ~

목적 및 내용 ZRAM 기술 확보 및 미래 기술역량 강화

기타 주요내용 ZRAM Memory Macro 개발, 생산, 판매에 필요한 ZRAM 기술 라이선스 허여 및 ZRAM 공동연구 개발

TESSERA, INC. 계약 유형 기술도입계약

계약 기간 1997년 5월 22일 ~ 2012년 5월 22일
2005년 3월 31일 ~ 2012년 5월 22일

목적 및 내용 Micro BGA Package 제조기술 및 TTC 라이선스 계약 변경

기타 주요내용 Micro BGA Package 제조기술 및 TTC 라이선스 계약 변경

출자전환주식
공동관리협의회 계약 유형 특별 약정

계약 기간 2005년 7월 11일 ~

목적 및 내용 당사의 기업경영 효율성 제고 및 이를 통한 주식 가치의 제고

기타 주요내용 본 특약의 존속기간은
ⅰ) "갑"이 보유한 주식 전부의 매각완료
ⅱ) "갑"이 보유한 주식 중 "을"의 경영권을 확보할 수 있는 지분의 제3자(특정한 개인, 법인 또는 그 컨소시엄) 에 대한 매각완료 또는
ⅲ) "갑"의 보유 주식이 "을"의 경영권 확보에 필요한 주식에 미달하게 되는 시점 중 먼저 도래하는 날까지로 함.

STMicroelectronics N.V. 계약 유형 공동 투자를 통한 합작회사 설립 계약

계약 기간 2004.11.13 ~

목적 및 내용 중국 현지 시장 선점 및 원가 경쟁력 확보를 위하여 메모리 제품 생산을 위한 합작회사 설립(HSSL: Hynix-ST Semiconductor Ltd.)

기타 주요내용 합작법인(HSSL)은 당사가 운영하며, 합작법인에서 생산한 물량은 양사 지분율에 따라 배분

추가 참고할 사항 2008년 3월, 인텔의 노어(NOR) 사업부와 ST의 플래시메모리 사업부가 합작회사 뉴모닉스(Numonyx)를 설립함에 따라, 기존 당사와의 상기 계약 주체가 ST에서 뉴모닉스로 변경되었음.

10. 연구개발활동

가. 연구개발 담당조직

당사는 보고서 제출일 현재, 연구소 및 DRAM개발사업부, Flash개발사업부, 신사업제조총괄 CIS사업부에서 연구개발활동에 주력하고 있습니다.

나. 연구개발비용

(단위 : 백만원)
과       목 제62기 제61기 제60기 비 고
원 재 료 비 33,554 53,486 31,984

인    건    비 184,118 182,419 173,893

감 가 상 각 비 156,414 165,599 102,727

위 탁 용 역 비 29,088 27,622 11,502

기            타 269,666 270,764 179,411

연구개발비용 계 672,840 699,890 499,518

회계처리 판매비와 관리비 672,840 653,738 499,518

제조경비 - 46,152 -

개발비(무형자산) - 　- -

연구개발비 / 매출액 비율
[연구개발비용계÷당기매출액×100] 9.0% 10.8% 5.9%

다. 연구개발 실적

구   분 연구과제명 기대효과
제62기 1) 1Gb GDDR5 54나노 기술을 적용한 그래픽스 메모리제품으로 차세대 게임 콘솔 및 노트북, 고사양 데스크탑 대응을 위한 제품임. 고사양 그래픽스 시장에서 본격적으로 1Gb GDDR5 채용이 가속화됨에 따라 32배속 시장에서 성공적인 수익창출이 기대됨.
2) 32Gb MLC Flash 카드, USB, MP3등 고용량제품의 요구가 급격하게 커지고 있는 가운데, 특히 신규 어플리케이션인 SSD 시장의 확대등으로 인하여 고용량 제품의 개발 필요성이 증대되고 있어이러한 시장에 적극 대응하기 위하여, 기존 48나노 16Gb MLC 낸드플래시 제품 후속으로 41나노 MLC 기술로 32Gb 제품을 개발.
3) 1Gb SLC Flash 모바일용 MCP 제품의 경쟁력 강화에 기여하고, 기존 70나노 대비 48나노 미세공정 전환을 통해 수익 경쟁력 강화에 기여할 것으로 기대됨. 특히 Panasonic용 Bundle SD Card(512MB)의 틈새 시장 확보에 도움이 될 것으로 예상됨.
4) 2Gb DDR3 54나노 기술을 적용한 메인 메모리 제품으로 서버, 데스크탑, 노트북에 사용되는 제품임. 쿼드코어프로세서(Quad Core Processor) 출시 및 가상화 기술 도입으로 8GB 및 16GB 등 고용량 모듈 수요증가가 예상됨에 따라 시장 경쟁력 확충에 기여할 것으로 기대됨.
5) 2Gb Combo Mobile 54나노 기술을 적용한 모바일 메모리제품으로 MID(Mobile Internet Device) 및 스마트폰 등 고사양 모바일 응용제품 대응을 위한 제품임. 모바일 기기의 컴퓨팅화 및 다기능 응용제품 증가에 따른 고용량 모바일 제품의 수요 증가가 예상됨에 따라 프리미엄 제품으로 수익성 강화에 기여할 것으로 기대됨.
6) 16Gb MLC Flash 고정거래고객 및 현물시장 중심으로 고용량 TSOP형태의 패키지 제품 수요가 지속될 것으로 예상되며 특히 모바일폰에서 2GB 이상의 고용량 uSD Card 수요가 급속한 성장을 할것으로 예상됨에 따라, 41나노 16Gb MLC 개발을 통해서 TSOP 패키지 응용제품(MP3, USB, 기타 컨슈머 제품)과 uSD Card용 수요를 충족시켜 매출 및 이윤향상에 기여할 수 있을 것으로 기대됨
7) 8Gb MLC Flash 48나노 8Gb MLC 제품 개발로 휴대전화용 메모리카드(1GB,2GB, 4GB) 수요를 충족시시켜 매출에 기여할 수 있을 것으로 기대됨.
8) 4Gb MLC Flash 낸드플래시제품의 고용량화에 따라 저용량 제품의 수요는 감소세를 보이고 있으나 모바일폰과 디지털카메라의 Bundle 카드 분야에서의 수요는 견조할 것으로 예상 되어, 48나노 4Gb MLC 제품을 통해 틈새 시장 대응이 가능할 것으로 기대됨
9) VGA 2Sh 2.25um 실리콘화일과 공동개발한 2.25um 130나노 기술을 적용한 CMOS 이미지센서 제품으로, 휴대폰용 카메라 및 노트북 등에 활용되며, 기존 4Sh 제품보다 제품특성이 월등히 뛰어나 중국과 국내 시장에 적극 대응이 가능하며 매출 및 CIS분야 이윤향상에 기여할 수 있을 것으로 기대
10) 2M SoC 1.75um 실리콘화일과 공동개발한 1.75um 130나노 기술을 적용한 CMOS 이미지센서 제품으로, 휴대폰용 카메라에 주로 채용될 것으로 보이며, 최근 휴대폰용 시장에서 가장 많이 쓰이는 200만화소의 해상도를 바탕으로 중국 및 국내 주요 모바일 기업 등에 판매가 가능한 제품으로 매출 및 이윤 향상에 기여 할 것으로 기대
11) 512Mb GDDR3 54나노 기술을 적용한 그래픽 메모리 제품으로, 고부가가치 시장인 게임콘솔에서 선두업체 지위 확보 및 가격 프리미엄을 바탕으로 매출증대에 기여할 것으로 기대
12) 1Gb Mobile DDR2 54나노 기술을 적용한 모바일 메모리 제품으로 고사양 모바일폰 및 MID 등의 고사양 애플리케이션 대응을 위한 제품으로, 모바일 DDR2의 신규 시장 초기 선점에 기여할 것으로 기대
13) 2Gb DDR3 44나노 기술을 적용한 메인메모리 제품으로 서버, 데스크탑PC, 노트북에 사용되는 제품임. 기존 54나노 기술을 적용한 제품보다 생산량이 획기적으로 증가됨에 따라 세계 최고 수준의 원가 경쟁력 확보에 크게 기여할 것으로 기대되며, DDR2에서 DDR3로 메모리 채용이 급속도로 전환됨에 따라 매출증대에 기여할 것으로 기대
14) 1Gb DDR3T 54나노 기술을 적용한 메인메모리 제품으로 서버, 데스크탑PC, 노트북에 사용되는 제품임. 기존 1Gb DDR3제품의 보완으로 생산량 증가 및 저전력 제품으로 생산성 및 수익성 향상에 기여할 것으로 기대
구   분 연구과제명 기대효과
제61기 1) 1Gb DDR3 54나노 기술을 적용한 DDR3 메인메모리 제품으로 서버, 데스크탑 PC, 노트북에 사용되는 제품임. 기존 66나노 기술 이후 차세대 제품으로 1Gb DDR3의 원가 경쟁력 확보에 크게 기여할 것으로 예상되며, 1Gb DDR2와 함께 가장 많은 규모를 차지할 것으로 예측되는 제품임.
2) 1Gb GDDR3 54나노 기술을 적용한 그래픽스 메모리제품으로 고사양 노트북 및 데스크탑 PC에 사용 되고, 마이크로소프트 차세대 게임 콘솔 대응을 위한 제품임. 2009년부터 1Gb GDDR3의 채용 비중 증가가 예상됨.
3) 512Mb SLC Flash (Small Block) 200mm Fab 수익성 제고를 위한 생산설비 유지 및 낸드플래시 70나노에서 57나노로의 기술 이전을 통한 경쟁력 강화를 위해 개발된 제품임. 모바일용 어플리케이션에 Small Block의 저가형 낸드 플래시 수요에 대응.
4) 1Gb DDR2 54나노 기술을 적용한 메인메모리 제품으로 서버, 데스크탑 PC, 노트북에 사용되며, 기존 66나노 기술을 적용한 제품보다 생산량이 획기적으로 증가됨에 따라 원가 경쟁력 확보를 통해 경영실적 개선에 크게 기여할 것으로 기대됨.
5) 1Gb Mobile DDR2 66나노 기술을 적용한 제품으로 고성능 모바일 어플리케이션 증가에 따른 고용량 및 고속 버퍼 메모리 시장 대응을 위한 모바일 제품으로, 저전력 DDR SDRAM에서 저전력 DDR2 SDRAM의 고성능으로 이어지는 시장에서의 기득권 확보 및 모바일 DRAM 시장 선도에 기여할 것으로 기대됨.
6) 1Gb SLC Flash 70나노에서 57나노로의 기술 전환을 통한 경쟁력 강화- 저용량 낸드 컨슈머 마켓용 제품 (모바일용 어플리케이션)
7) VGA 2.25um 130nm 실리콘화일사가 디자인한 130나노 로직 기술을 적용한 CMOS 이미지 센서 제품으로써 모바일용 카메라 및 노트북 등에 사용됨. 당사의 CIS 첫 제품으로 최단기 샘플 출시 및 내부 인증을 통하여 조기에 CIS 시장진출 및 매출기반을 이룰 것으로 기대됨.
8) 1Gb DDR3 66나노 기술을 적용한 초고속 메인 메모리 제품으로 Post-Bearlake/Beachwood 대응을 통한 DDR3 주력시장 진입을 위한 제품임. 저전력/고속 제품 특성 및 Net Die 경쟁력을 강화함으로써 수익성 향상에 기여할 것으로 기대됨.
9) 1Gb GDDR5 66나노 기술을 적용한 그래픽스 메모리제품으로 Enthusiast급 PC 그래픽 카드 및 차세대 게임 콘솔용 제품임. GDDR4 이후 GDDR5로 메모리 모드 전환 대응 및 고속 경쟁력 확보를 통해 그래픽스 시장에서 자사 위상 제고에 기여할 것으로 기대됨.
10) 2Gb MLC Flash 생산성 향상에 의한 수익성 개선과 고용량에 비해 상대적으로 가격 프리미엄제품인 57나노 2Gb MLC 파생제품 개발 필요성이 증가함에 따라 개발한 제품임. 저용량 MLC 제품구성 및 256MB uSD 시장 공략을 통한 수익성 강화에 기여할 것으로 기대됨.
11) 16Gb MLC Flash 플래시카드, USB, MP3, SSD 등 고용량 낸드 소비 증가와 모바일용 MCP 및 디지털 카메라용 MCP, 게임 등 빠른 수행능력이 요구되는 어플리케이션 증가로 인해 48나노 16Gb MLC 제품의 개발의 필요성이 증가하였으며 수익성 향상에 기여할 것으로 기대됨.
12) 512Mb gDDR2 66나노 기술을 적용한 그래픽스 메모리 제품으로서 비스타 효과 확대 및 Santa Rosa Platform 확대에 대응하기 위한 그래픽스 메모리용 제품임. 기존 양산 제품보다 선행 기술을 사용하여 제품 특성 및 Net Die 경쟁력을 강화함으로써 생산성 증대 및 수익성 강화에 기여할 것으로 기대됨
13) 4Gb MLC Flash 완성품 생산업체들의 가격 압박으로 인한 MLC 채용 증가 및 SLC 제품가격의 MLC 제품 대비 가격 프리미엄 증대로 SLC 제품 채용이 축소되는 시장상황에서 저사양(4Gb이하) 시장 대응을 위한 제품임.
구   분 연구과제명 기대효과
제60기 1)1Gb Combo Mobile 66나노 기술을 적용한 제품으로 고사양 다기능성 제품에 적극 대응하기 위한 고용량 모바일 제품임. CDMA용 고사양 폰 제조사, PDA 제조사 그리고 Wafer 및 KGD 사업의 수익성 향상에 기여할 것으로 기대됨
2) 512Mb GDDR3 66나노 기술을 적용한 그래픽스 메모리제품으로 PC 그래픽에서 고사양 및 게임 콘솔의 그래픽 카드용 제품임.
3) 2Gb SLC Flash 모바일용 MCP 및 디지털카메라용 MCP, 게임 등 빠른 성능이 요구되는 어플리케이션용 제품임.
4) 8Gb MLC Flash 플래시카드, USB, MP3, SSD 등에서 고용량 낸드 채용 증가로 향후 시장 수요가 견고한 상황에서 기존 60나노를 대체제로 수익성 극대화에 기여할 것으로 기대됨. 고용량 uSD 카드 제작을 통해 대형모바일폰 업체와의 사업으로 수익성 강화에 기여할 것으로 기대됨
5) 512Mb GDDR4 80나노 기술을 적용한 초고속 그래픽스 메모리제품으로 Enthusiast급 데스크탑, 노트북 PC 그래픽 카드용 제품임. Enthusiast 그래픽스 시장에서의 Net die 및 속도 경쟁력 확보를 위한 제품임.
6) 256Mb DDR 80나노 기술을 적용한 제품으로 MFP(Multi Functional Printer, 다기능 프린터), 셋톱박스, 디지털 TV, 디지털 카메라에 사용되는 컨슈머 메모리 제품임. 기존 양산제품 대비 제품 특성 및 Net Die 경쟁력을 강화함으로써 생산성 증대 및 수익성 강화에 기여할 것으로 기대됨.
7) 4Gb SLC Flash Mobile Handset Embedded, PC Storage(Robson, Hybrid, SSD)용 제품임. 필수 어플리케이션 및 제품 프리미엄으로 USB, MP3, Storage Card 등에 경쟁력 있는 제품으로 대응 가능하고, 회사의 수익성 제고에 크게 기여할 것으로 기대됨.
8) 8Gb MLC Flash 8G-SDP, 16G-DDP, 32G-QDP, 64G-DSP의 고용량 제품 대응을 위해 개발함. 대용량과 저가제품의 구현으로 USB, MP3, Storage Card 등의 어플리케이션에 경쟁력 있는 제품으로 회사의 수익성 제고에 크게 기여할 것으로 기대됨
9) 512Mb DDR2 85나노 기술을 적용한 메인메모리 제품으로 서버, 워크스테이션, 모바일 PC, 데스크탑 PC에 사용되는 제품임. 512Mb DDR2_HS 특성 승계로 안정성 확보, 최소 투자를 통한 수율 극대화로 200mm FAB 활용도를 제고할 수 있음.
10) 256Mb GDDR3 80나노 기술을 적용한 그래픽스 메모리제품으로 고사양 및 주력 데스크탑 PC, 노트북 PC의 그래픽 카드용 제품임. 기존 256Mb GDDR2(가격)와 512Mb GDDR3(성능) 제품 사이에서 성능 대비 가격 경쟁력을 확보하기 위한 제품임.
11) 1Gb DDR2 66나노 기술을 적용한 메인메모리 제품으로서 고용량 모듈을 요구하는 고사양 서버, 고사양 데스크탑 및 노트북용 제품임. 기존 80나노 기술을 적용한 제품보다 생산량이 획기적으로 증가됨에 따라 세계 최고 수준의 가격경쟁력 확보에 크게 기여할 것으로 기대됨.

11. 기타 투자의사결정에 필요한 사항

가. 외부자금조달 요약표

(1) 국내조달

(단위 : 백만원)
조 달 원 천 기초잔액 신규조달 상환등감소 기말잔액 비고
은           행 2,190,528     844,496 1,005,137   2,029,887 (주1)
보 험 회 사             -             -             -             -

종합금융회사 - - - -

여신전문금융회사 - - - -

상호저축은행 - - - -

기타금융기관    212,551     149,427      74,659      287,320 (주2)
금융기관 합계 2,403,079     993,923 1,079,796   2,317,207

회사채 (공모) 1,280,000     200,000      60,214   1,419,786 (주3)
회사채 (사모)   125,750 - 125,750 - (주4)
유 상 증 자 (공모) 6,609,659 1,048,500 - 7,658,159 (주5)
유 상 증 자 (사모) - - - -

자산유동화 (공모) - - - -

자산유동화 (사모) - - - -

기           타 3,275,184 347 - 3,275,531 (주6)
자본시장 합계 11,290,593 1,248,847 185,964 12,353,476

주주ㆍ임원ㆍ계열회사차입금 - 22,696 14,114 8,582 (주7)
기           타 - - - -

총           계 13,693,672 2,265,466 1,279,874 14,679,265

(참 고) 당기 중 회사채 총발행액 공모 : 200,000 백만원

사모 : - 백만원
(주1) 입출금이 빈번한 당좌차월 및 Banker's Usance는 순증(감)액만을 기재하였으며,
그 이외의 증감내역은 다음과 같음
      당기중 증가분
           -. 2009년 1월 12일: 250,000 백만원(일반원화대출),
           -. 2009년 2월 23일: 250,000 백만원(일반원화대출),
           -. 2009년 3월 30일: USD 20 백만(일반외화대출)
           -. 2009년 4월 20일: 11,376 백만원(일반원화대출)
           -. 2009년 4월 30일: USD 7.6백만(일반외화대출)
           -. 2009년 4월 30일: USD 50백만(일반외화대출)
           -. 2009년 5월 4일: USD 37백만(일반외화대출)
           -. 2009년 5월 4일: USD 50백만(일반외화대출)
           -. 2009년 6월 25일: USD 50백만(일반외화대출)
           -. 2009년 7월 16일: USD 40백만(일반외화대출)
      당기중 감소분
           -. 일반원화대출: 11,376백만
           -. 일반원화대출: 200,000백만
           -. 포괄수출금융: USD 20백만
           -. 일반외화대출: USD 217.4백만
           -. Term Loan: USD 60백만
(주2) 당기 중 증가분은 금융리스 USD 128백만이며, 감소분은 13,142백만 및 USD 40백만 금융리스 상환금액임.
(주3) 당기 중 증가분은 회사채 발행 200,000백만이며, 감소분은 국내 전환사채 전환권 행사분 214백만 및 회사채 60,000백만임.
(주4) 당기 중 감소분은 외화사채 USD 100백만임.
(주5) 당기 중 증가분
           -. 2009년 1월 17일 일반공모유상증자 (60,000,000주*5,400원= 324,000백만원)
           -. 2009년 5월 19일 일반공모유상증자 (70,000,000주*10,350원= 724,500백만원)
(주6) 상기 기타 항목의 기초잔액은 CB, BW, 주식매수선택권 권리행사 내역임.
           -. CB출자전환 :           3,006,324백만원,
           -. 국내CB전환권행사 :     250,424백만원,
           -. 국내BW권리행사 :             515백만원,
           -. 주식매수선택권행사 :    16,276백만원,
           -. 우리사주매수선택권행사: 1,645백만원
           -. 소                계 :     3,275,184백만원
      기타 항목의 증가 내역은 다음과 같음.(당기 결산 이후 증가분 불포함)
           -. 주식매수선택권행사 :          91백만원 (18,260주*5,000원, 2009년 2월 18일)
           -. 국내CB 전환권행사 :          0.3백만원 (12주*24,184원, 2009년 5월 6일),
           -. 주식매수선택권행사 :          23백만원 (4,600주*5,000원, 2009년 6월 23일),
           -. 국내CB 전환권행사 :          3.7백만원 (158주*23,328원, 2009년 8월 13일),
           -. 국내CB 전환권행사 :         200백만원 (8,573주*23,328원, 2009년 9월 21일),
           -. 주식매수선택권행사 :       18.7백만원 (3,740주*5,000원, 2009년 9월 22일),
           -. 국내CB 전환권행사 :           10백만원 (428주*23,328원, 2009년 12월 14일)
           -. 소계 :                             347백만원
(주7) 당기 중 증가분은 HSS로부터의 차입금 USD10백만 등이며 감소분은 HSS 상환금임.
※ 상기 신규조달 및 상환 등 감소 금액은 환율변동으로 인한 외화평가분을 포함함.

(2) 해외조달

(단위 : 백만원)
조 달 원 천 기초잔액 신규조달 상환등감소 기말잔액 비고
금 융 기 관 - - - -

해외증권(회사채)   1,168,103 - 44,950 1,123,153

해외증권(주식등) - - - -

자 산 유 동 화 - - - -

기           타 - - - -

총           계   1,168,103 - 44,950 1,123,153

※ 상기 신규조달 및 상환 등 감소 금액은 환율변동으로 인한 외화평가분을 포함함.

나. 최근 3년간 신용등급

[국내]

평가일 평가대상
유가증권등 평가대상 유가증권의
신용등급 평가회사 신용평가등급범위 평가구분
07.04.11 회사채(정기평가) A- 한신평 AAA ~ D 정기평가
07.05.03 회사채(202) A- 한신평 AAA ~ D 본평가
07.05.03 회사채(202) A- 한신정평가 AAA ~ D 본평가
07.05.04 회사채(202) A- 한기평 AAA ~ D 본평가
07.08.27 회사채(203) A- 한신정평가 AAA ~ D 본평가
07.08.28 회사채(203) A- 한기평 AAA ~ D 본평가
07.08.28 회사채(203) A- 한신평 AAA ~ D 본평가
07.12.11 회사채(204) A- 한신정평가 AAA ~ D 본평가
07.12.11 회사채(204) A- 한기평 AAA ~ D 본평가
07.12.11 회사채(204) A- 한신평 AAA ~ D 본평가
08.01.31 회사채(205) A- 한신정평가 AAA ~ D 본평가
08.02.01 회사채(205) A- 한신평 AAA ~ D 본평가
08.02.04 회사채(205) A- 한기평 AAA ~ D 본평가
08.05.06 회사채(206) A- 한신정평가 AAA ~ D 본평가
08.05.06 회사채(206) A- 한신평 AAA ~ D 본평가
08.05.06 회사채(206) A- 한기평 AAA ~ D 본평가
08.08.20 회사채(207) A- 한신정평가 AAA ~ D 본평가
08.08.21 회사채(207) A- 한신평 AAA ~ D 본평가
08.08.21 회사채(207) A- 한기평 AAA ~ D 본평가
08.12.16 회사채(수시평가) BBB+ 한기평 AAA ~ D 수시평가
08.12.18 회사채(수시평가) BBB+ 한신정평가 AAA ~ D 수시평가
08.12.18 회사채(수시평가) BBB+ 한신평 AAA ~ D 수시평가
09.06.29 회사채(정기평가) BBB+ 한기평 AAA ~ D 정기평가
09.06.30 회사채(정기평가) BBB+ 한신정평가 AAA ~ D 정기평가
09.07.16 회사채(정기평가) BBB+ 한신평 AAA ~ D 정기평가
09.09.21 회사채(208) BBB+ 한기평 AAA ~ D 본평가
09.09.21 회사채(208) BBB+ 한신정평가 AAA ~ D 본평가
09.09.22 회사채(208) BBB+ 한신평 AAA ~ D 본평가
09.12.24 회사채(수시평가) BBB+ 한기평 AAA ~ D 수시평가

[해외]

평가일 평가대상
유가증권등 평가대상 유가증권의
신용등급 평가회사 신용평가등급범위 평가구분
07.06.11 발행회사 / 외화사채 BB- S & P AAA ~ D 본평가
07.06.11 발행회사 / 외화사채 BB Fitch AAA ~ D 본평가
07.06.14 발행회사 / 외화사채 Ba2 Moody's Aaa ~ C 본평가
08.07.10 발행회사 / 외화사채 BB- Fitch AAA ~ D 정기평가
08.08.04 발행회사 / 외화사채 Ba2 Moody's Aaa ~ C 수시평가
08.10.30 발행회사 / 외화사채 BB- S & P AAA ~ D 수시평가
08.11.03 발행회사 / 외화사채 Ba3 Moody's Aaa ~ C 수시평가
08.12.15 발행회사 / 외화사채 B+ Fitch AAA ~ D 수시평가
08.12.22 발행회사 / 외화사채 B1 Moody's Aaa ~ C 수시평가
08.12.26 발행회사 / 외화사채 B+ S & P AAA ~ D 수시평가
09.01.14 외화사채 B S & P AAA ~ D 수시평가
09.01.14 발행회사 B+ S & P AAA ~ D 수시평가
※ 상기 S&P 및 Moody's의 본점 소재지는 미국임. Fitch의 본점 소재지는 영국/미국임

[참고] 국내 신용평가사(한신정평가, 한국기업평가, 한국신용평가) 등급정의
신용등급 등급의 정의
AAA 원리금 지급확실성이 최고 수준임
AA 원리금 지급확실성이 매우 높지만, AAA등급에 비하여 다소 낮은 요소가 있음
A 원리금 지급확실성이 높지만, 장래의 환경변화에 따라 다소 영향을 받을 가능성이 있음
BBB 원리금 지급확실성이 있지만, 장래의 환경변화에 따라 저하될 가능성이 내포되어 있음
BB 원리금 지급능력에 당면문제는 없으나, 장래의 안정성면에서는 투기적인 요소가 내포되어 있음
B 원리금 지급능력이 부족하여 투기적임
CCC 원리금의 채무불이행이 발생할 위험요소가 내포되어 있음
CC 원리금의 채무불이행이 발생할 가능성이 높음
C 원리금의 채무불이행이 발생할 가능성이 지극히 높음
D 현재 채무불이행 상태에 있음
※ AA ~ B등급까지는 상대적 우열에 따라 "+" 또는 "-"기호를 부여함.

[참고] 해외 신용평가사 Moody's 등급 정의
신용등급 등급의 정의
Aaa 최소한의 신용 리스크를 보이며, 최고의 신용상태를 가진 것으로 판단됨.
Aa 신용상태가 우수한 것으로 판단되며 신용리스크가 매우 낮음.
A 중상위 등급으로 간주되며 신용 리스크가 낮음.
Baa 신용 리스크가 보통 수준임. 이들은 중위 등급으로 간주되며 그에 따라 일부 투기적 특징을 가질 수 있음.
Ba 투기적 요소가 있는 것으로 판단되며 신용 리스크가 상당한 수준임.
B 투기적인 것으로 간주되며 신용 리스크가 높음.
Caa 신용상태가 불량한 것으로 판단되며 신용 리스크가 매우 높음.
Ca 투기성이 매우 높고 부도상태이거나 부도에 매우 근접해 있을 가능성이 높으며 원리금 회수 가능성이 어느 정도 있음.
C 채권의 최하 등급. 일반적으로 부도상태이고 원리금 회수 가능성이 거의 없음.
※ Aa부터 Caa까지 각 일반 등급 분류에 1,2,3의 숫자를 부여함. 숫자 1은 해당 등급 분류 내에서 상위에 있음을, 숫자 2는 중위에, 숫자 3은 하위에 있음을 나타냄.

[참고] 해외 신용평가사 S&P 등급 정의
신용등급 등급의 정의
AAA 채무상환능력이 극히 높음. 최상 등급임.
AA 채무상환능력이 매우 높음, 상위 등급과 크게 차이는 없으나 최고 수준은 아님.
A 채무상환능력이 높음, 상위 등급의 기업에 비해서는 경기침체와 시장환경변화의 영향을 받기 쉬움.
BBB 채무상환능력은 충분하나, 상위 등급의 기업에 비해서는 경기침체와 시장환경변화의 영향을 받기 쉬움.
BB 가까운 장래에 채무불이행이 발생할 가능성은 비교적 적으나, 경영상태, 재무상황, 경제상황이 악화될 경우 채무불이행 가능성이 충분히 고려됨
B 현재로서는 채무상환능력이 있으나, 상위 등급의 기업에 비해 경영상태, 재무상황, 경제상황이 악화될 경우 채무불이행 가능성이 높음.
CCC 현재 채무불이행 가능성이 있으며, 채무이행 능력은 경영, 재무, 경제 상황이 호의적일 경우에만 있다고 보여짐.
CC 채무불이행 가능성이 현재로서 상당히 높음.
D 채무만기시 1건 이상의 채무를 상환하지 못한 기업을 의미함.
※ AA등급에서 CCC등급까지는 해당 등급에서의 상대적인 위치에 따라 '+', '-'를 추가로 부여할 수 있음.

다. 회사의 고객관리 정책

당사는 IT 산업을 대표하는 글로벌 기업으로서 당사 매출기여도가 매우 높고 당사 판매 전략과 부합하는 고객을 '전략 고객(Strategic Account, S/A)'으로 정하여 관리하고 있습니다. 당사의 S/A 고객은 본 보고서 작성일 현재 총 28개사로 이중 DRAM 고객사는 13개사, 낸드플래시 고객사는 15개사가 있습니다. 당사는 각 응용 분야별 전략 고객의 관리를통하여 안정적인 매출 기반 확보 및 제품 구성을 다양화하여 수익성을 극대화하고 있습니다.

라. 지식재산권 보유현황

2009년 12월 31일 현재 당사는 반도체와 관련하여 총 29,490건의 지식재산권을 보유하고 있습니다. 통상적으로 등록권리는 해마다 증가하나, 매년 기 등록된 권리를 평가하여 등록유지 또는 포기여부를 결정하고 있어 포기된 권리로 인해 그 수치가 다소 감소할 수 있습니다.

특허와 실용신안권은 각국의 특허법과 실용신안법에 근거하여 보호되고 있으며, 상표권은 각국의 상표법에 근거하여 보호되고 있습니다. 특허권의 존속기간은 출원일로부터 20년(실용신안은 10년), 상표는 등록일로부터 10년이며 상표권은 갱신등록절차를 통해 존속기한을 연장할 수 있습니다.

당사 지식재산권은 총 47인으로 구성된 전담조직에서 출원, 등록 및 사후관리, 분쟁대응 등을 담당하고 있습니다. 다양한 지식재산권이 당사 제품 생산 및 사업운영에 활용되고 있으며 각각의 세부사항 및 특허권의 상세한 내용은 영업비밀에 해당되므로 기술하지 않습니다.

마. 정부나 지방자치단체의 법률 규정 등에 의한 규제사항

'산업기술의 유출방지 및 보호에 관한 법률 제11조'에 의하여 국가핵심기술로 지정된 반도체 제조기술을 해외로 기술 이전하는 경우 수출자는 지식경제부에게 신고하도록 하고 있습니다. 따라서 당사는 후공정 일부 설비의 중국 합작투자업체로의 매각과 관련하여 관련법에 의한 신고 절차를 준수하여 후공정 기술 이전을 차질 없이 진행하여 완료 하였습니다(2009년 10월 28일). 또한, 추가적인 기술이전의 발생시에도 차질 없이 진행토록 하겠습니다.

바. 환경보호 정책 및 현황

(1) ESH경영시스템 인증

당사의 ESH통합경영시스템인 ISO14001 & OHSAS18001/KOSHA18001은 기업활동으로 나타나는 환경영향인자 최소화 및 작업장에서의 발생되는 임직원의 안전보건영향인자 저감을 목적으로 2003년 ESH통합경영시스템으로 운영되어 왔습니다. ESH경영시스템 관리기준에 따라 3년 1회 재인증심사 및 매년 사후관리심사를 통해 시스템의 유효성과 적합성을 외부 심사기관으로부터 인증받고 있습니다. 2008년에는 OHSAS18001에 대해 규격변경(1999 => 2007)에 따른 갱신심사를 통해 OHSAS18001:2007을 취득하였습니다. 당사의 ESH통합경영시스템은 주무부서 중심의 경영시스템 운영이 아니라 전사 중심의자율적 ESH통합경영시스템으로 유관부서에서 자율적 개선활동을 실시하고 있으며, 사내 ESH전산시스템을 통해 그 활용성을 강화해 나가고 있습니다.

(2) 기후변화 협약 대응

당사는 2005년 12월부터 2010년 12월까지 지식경제부와 에너지 절약 및 온실가스 배출 감소를 위한 자발적 협약(Voluntary Agreement, VA)을 체결하였으며, 이에 따라 체계적인에너지 절감 및 투자 계획을 수립하여 에너지 절감량, 효율 향상 등에 관한 실적을 매년 공개하고 있습니다.

[에너지 목표관리제]
당사는 전세계적인 이슈인 기후변화 대응을 위해 온실가스 인벤토리 시스템을 완료했으며 특히 2009년도에 지식경제부에서 주관하는 에너지 목표관리제에 참여하여 중장기적으로 기후변화에 대비함은 물론 에너지효율적 사업장을 만들기 위해 노력하고 있습니다.

[CDP(탄소정보 공개 프로젝트) 바다상 수상]
당사는 기업 경영 환경의 변화에 발맞추어, 사회적 책임투자(SRI: Socially Responsible Invesment)의 일환으로 탄소정보 공개 프로젝트(CDP: Carbon Disclosure Project)에 2006년부터 참여하고 있습니다. 당사는 2008년 탄소정보공개프로젝트 한국위원회로부터 전년 대비 CDP 대응 성과가 가장 크게 개선된 기업으로 선정되어 `빙하상`을 수상한 바 있으며 2009년도에는 탄소감축성과 및 협력사와의 탄소경영협력을 통한 성과를 인정받아 ‘바다상’을 수상했습니다. 하이닉스는 그동안 과불화탄소(PFC) 감축 태스크포스 운영, 온실가스 인벤토리 구축 등 탄소 감축을 위해 꾸준히 노력해 왔으며, 특히 과불화탄소 처리와 대체 활용 등을 지속적으로 수행하는 한편, 이를 청정개발체계(CDM: Clean Development Mechanism) 프로젝트와 접목하는 전략을 실천해오고 있습니다.

(3) 친환경제품을 위한 노력

[전과정 평가(Life Cycle Assessment, LCA) 실시]
2006년과 2007년에 DRAM 및 Nand Flash Memory 대표 제품에 대해 LCA를 수행하여 주요 환경이슈를 파악하였으며, 2010년부터는 점진적으로 제품군을 확대하여 LCA를 수행할 예정입니다. 당사는 협력회사의 원자재 생산 과정, 제품의 수송 과정 및 제조 과정의 환경 정보를 바탕으로 환경영향을 도출하고 이를 사내 이해관계자들과 공유하여 환경적 주요 이슈를 규명하고 있습니다.

[Eco-efficiency & Factor h2 로드맵]

하이닉스는 제품의 환경영향과 제품가치를 동시에 평가하기 위한 지표로서 Eco-efficiency를 개발하여 2009년 방법론에 대한 외부전문가 검증, 1~3차 사례연구를 통한 총 14개 제품에 대한 성적을 평가하였습니다. 또한 Factor h2는 기준제품의 Eco-efficiency 결과 대비 신제품의 결과를 비율형태로 제품군별로 제품의 환경성과 및 제품가치 향상정도를 측정할 수 있도록 설계하였고, 2015년까지 Factor 5를 달성하기 위한 Factor h2로드맵을 개발하여 향후 개발제품의 친환경성을 갖추기 위해 지속적으로 노력하고 있습니다.

[탄소성적표지 인증]

하이닉스는 2009년 11월 업계 최초로 54나노1Gb DDR3 SDRAM제품에 대하여 환경부 인증 제3자 라벨링 제도인 탄소성적표지 인증을 받았으며, 제품제조전단계-수송-제품제조단계에 이르러 602 gCO2를 배출하는 것으로 나타났습니다. 해당 제품은 컴퓨터와 노트북에 주로 사용되며, 데이터를 1,600Mbps 속도로 신속하게 처리가 가능하고 1.5~1.35V 저전력에서 동작이 가능한 제품으로 사용단계에서 CO2 발생량을 획기적으로 저감시킬 수 있도록 설계되었습니다. 향후에도 주요 제품군에 대해 탄소성적표지 인증을 확대를 통하여 저탄소 제품을 지속적으로 개발, 양산하겠습니다.

(4) 기타 환경보호 정책

당사는 환경경영에 대한 투명성 및 진정성을 확보하기 위해, 국내 대표적 NGO인 환경운동연합내 각 분야별 전문가를 중심으로 환경경영검증위원회를 구성하여 2009년 5월 환경경영검증위원회 보고서를 발행하였으며, 이를 당사 홈페이지 및 환경운동연합 홈페이지에 공개하고 있습니다.

2009년도에는 상반기, 하반기 각각 1회씩 환경운동연합에서 추천한 국내 환경전문가를 대상으로 CEO자문회의를 개최하였으며 당사의 전반적인 환경경영 및 환경전략관련 의견을 수렴하여 당사 경영전략에 반영하고 있습니다

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