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II. 사업의 내용
1. 사업의 개요
가) 업계의 현황
지난 2~3년간 지속된 반도체시장 불황의 여파로 대부분의 반도체 회사들이 적자를 벗어나지 못하고 도산하는 등의 어려움을 겪었습니다. 그런데 World Semiconductor Trade &Statistics 에서는 2009년 세계반도체 시장 규모는 전년 대비 -11.5%로 2년연속 마이너스 성장을 기록할것으로 예측하였으나, 2010년에는 +12.2% 2011년에는 +9.3%로 성장을 하게 되어 본격적인 안정세에 진입할것으로 전망 하였습니다.
이는 2009년 실적부진에 따른 기저효과의 영향도 있지만 반도체 응용분야인 Digital-TV, 스마트폰등의 수출 호조, 녹색성장산업의 육성정책에 힘입어 LED, 태양 전지등의 증가와 '윈도7' 등장으로 데스크탑 교체 및 넷북 구입등의 수요 증가등으로 분석되며 금융위기 이전 수준을 거의 회복할것으로 전망됩니다.
나) 회사의 현황
1) 영업개황
2009년 세계 반도체 시장에 대한 주요 Research들은 마이너스 11.9%의 성장을 전망하였으나, 당사는 해외 판매 법인 및 사무소를 거점으로 하는 Global Marketing 강화 및 국내 거래처에 대한 밀착 영업을 통하여 매출은 전년대비 1% 성장한 1,487억원을 기록하였습니다. 또한 Lay-out 및 유휴설비 합리화를 통한 생산성 향상 및 비용 절감, 품질보증조직 체계 정비를 통한 제품 품질 능력 향상과 지속적인 업무 혁신으로 침체되어 있는 반도체 세계 경기에도 불구하고 2009년 1분기에는 영업이익의 흑자전환, 2분기 이후에는 영업이익 및 당기순이익까지 흑자가 실현되어 2009년 전체영업이익 81억원, 당기순이익 14억원의 실적을 기록하였습니다.
2010년에는 세계 실물경기 회복에 따른 반도체 시장의 본격적인 성장이 있을것이라는 밝은 전망이 예측됨에 따라 2010년도에는 전부문의 “역량(POWER)”을 집중하여 매출액 20%, 생산성 20% 향상을 실현, 영업이익 100억원을 달성하는것을 목표로 삼았습니다. 보다 안정적인 성장과 2년 연속 당기순이익 달성을 위해 더욱 정교하고 부가가치 높은 신상품 개발에 매진하며, 제품 구성을 다변화 함으로써 향후 성장 분야로 각광받고 있는 LED제품과 POWER MOS FET제품군등의 원가경쟁력 강화를 이루어 신규 대형 거래선과의 계약을 통한 매출을 확대하고자 합니다. 또한 원가경쟁력 강화를 위한 대체자재 개발과 수율개선활동을 도모하고 판매증가가 예상되는 제품의 생산 대응을 위하여 설비증설 및 보완투자를 조기 시행함으로써 즉각 대응체제를 갖추고 해외 법인을 기점으로 보다 강력한 영업력을 구축하며, 고객으로부터 제품의 신뢰성을 확보하여 고객 만족에서 고객 감동을 실현할 수 있도록 강도높은 구조 혁신을 통해 당사만의 경쟁력 강화를 추진함으로써 POWER Management 전문 기업으로 발돋움 할 수 있는 도약의 발판을 마련하도록 하겠습니다.
2) 신규사업 등의 내용 및 전망
① Diode Array Package LINE-UP
제품은 Antenna Switching Module(ASM), FEM Module의 소형화 추이에 따른 MultiChip Array로 하나의 Package에 4~6개의 Diode를 적용하여 공간의 슬림화 및 빠른응답특성을 구현하고 있으며, 기존 Single Diode의 대체 수요로 년간 50억원 이상의 매출이 창출될 것으로 기대하고 있습니다.
② 극친환경 Halogen Free 제품 양산
제품은 소형 박막 Size의 Package1608 (1.6mmX0.8mm)에 6대 유해물질 금지지침 (RoHS)을 지키면서 추가적으로 Halogen Free 재료를 적용한 극친환경 제품이다.
Halogen Free 제품은 환경 오염을 유발하는 Halogen 물질인 Br(브롬)계 난연재를 현저히 줄이면서도 불에 잘 타지않는 화학 성분의 배합이 요구되는Package기술로
Mobile phone등 친 환경 응용 set를 생산하는 고객사에 Halogen Free제품을 안정적으로 공급하여 친 환경 시장의 요구에 적극 대응할 것입니다.
③ MOS TR
TR의 고집적화를 통한 고전압 Power를 제조하는 기술로 최근들어 Green Round의 규제로 인한 저전력 고효율 가전기기의 사용이 의무화 되면서 Power IC와 더불어 급성장 하게된 제품으로써 멀티미디어의 지속적인 발전과 고효율을 요하는 각종 SMPS에 적용됨에 따라 MOS TR 시장은 급진적으로 증가하고 있으며 당사는 신제품 출시와 함께 다양한 패키지와 사양의 제품을 추가로 개발하여 POWER MANAGEMENT 전문회사로써 FULL LINE UP을 구축하기 위하여 지속적인 연구개발과 투자를 병행할 것입니다.
④ 전기 자전거(E-BIKE)용 전력칩
전기자전거에 사용되는 배터리 전원용 저전압 전력칩으로, 기존 칩 대비 열 특성이 15% 이상 우수한 3종류의 전기자전거용 전력 칩을 개발 하였으며, 중국시장 규모만 월 2000만 ∼ 2500만개에 이른다. 이 시장은 현재 해외 대형 전력 칩 업체들이 주도하고 있으나, 수요가 급격히 늘어나면서 적어도 월 500만 ∼ 1000만개의 공급 부족 현상이 발생에 따른 년간 100억원 이상의 매출이 창출될 것으로 기대하고 있습니다.
⑤ BLU(Back Light Unit)
BLU는 LCD(액정 디스플레이)와 같이 각종 정보의 표시 소자이면서도 자체 발광원이 없기 때문에, 그 후면에 광원을 두어 LCD화면 전체를 균일하게 밝혀주는 별도의 UNIT을 말합니다. 그동안 LCD 광원으로 주로 형광 LAMP가 사용되어 왔으나 광원을 LED로 대체할 경우 LCD모듈 전체 소비전력의 75%를 차지하는 백라이트 유닛의 고효율화가 이루어 질 수 있을 것으로 전망되며 LCD 모니터의 슬림화도 가속화 될 것으로 전망됩니다. 당사는 신제품 및 신규 Business를 기반으로 앞으로 LED를 응용한 BLU개발을 통해 국내외 BLU시장을 선도해나갈 계획입니다.
⑥ GaN을 이용한 RFTR과 발광소자
최근 일본에서 개발완료하여 생산에 돌입한 신기술로 국내에서도 당사가 유일하게 개발 진행중인 기술이며 HEMT 공정기술을 이용함으로써 차세대 이동통신시스템에 사용하는 세계 최고의 출력과 효율을 갖는 Power TR을 제조 할 수 있는 기술입니다. 또한 이 기술을 이용하여 발광소자(LED)를 만들 경우 고휘도의 제품을 구현 할 수 있습니다. 고주파 중계기 시장은 연 20%의 성장을 기록하고 있으며 현재 GaAs소재를 이용한 RF TR이 주종을 이루고 있어 이 제품이 상용화 될 경우 현재의 40W수준에서 170W수준으로 4배 정도의 고출력이 되며 소비전력 또한 낮은 제품을 양산할 수 있어 시장에서 기존제품을 단기간내에 대체 할 수 있으리라 보입니다.
⑦ SiC를 이용한 RF Power TR 및 Schottky Diode
고전력, 고주파뿐 아니라 카바이드 물성에 의한 고내열성과 전력손실을 최소화 할 수 있는 기술로 고부가가치 반도체제품을 구현 할 수 있는 첨단소재 기술로써 앞으로 HIGH Frequency에서 S-BAND까지 고효율을 구현 할 수 있는 소자로 차세대 통신시장에서 주도적인 제품으로 자리매김 할 것으로 전망되며, 특히 내열성이 요구되는 자동차엔진, 각종엔진센터 및 고주파를 이용하는 레이다장치나 항공기 엔진장치 등에도 사용하게 될 것입니다. 당사는 현재 SiC를 이용한 단위공정 기술개발을 이미 완료하고 이 공정기술을 이용한 Schottky Diode의 개발을 완료하였으며 앞으로 1,000V급 이상의 제품을 지속적으로 개발하고 25W급 이상의 고출력을 갖는 S-BAND의 RF TR을 개발 할 예정으로 이러한 신기술을 바탕으로 차세대 RF Power TR의 선두 주자로 발돋움 할 것입니다.
⑧ Axial PKG Type (DO PKG) Diode Line - up
Axial Package Type (DO PKG) Diode 중 Line - up된 Axial Type Package에 적용되는 Diode 제품들은 General Rectifier 특성이 대폭개선된 FRD(Fast Recovery Rectifier), Low VF 및 IR특성을 갖는 Schottky Barrier Rectifier, Zener, TVS, Switching Diode 등으로 약 1500여종에 해당된다. 이와 더불어 Bridge Diode 및 Low IGT Value 를 가지는SCR의 400V/0.8A의 Line-up이 완료되었습니다. Diode시장에서 Axial Package의 규모가 약 55%인 것을 감안하면 현재 Line-up되어 있는 SMD 및 POWER Package를 포함하여 거의 모든 부분의 Diode Package에 대한 양산 준비가 완료 되었다고 할 수있습니다
⑨ Battery Protection IC
Battery Protection IC는 최근 소비자 안전 규정을 강화한 Lithium-Ion, Lithium-Polymer Battery의 과충전 및 높은 과전류의 감지 및 이를 차단하는 기능을 수행하여 제품의 폭발 및 이상 동작으로 부터 회로를 보호하는 기능을 수행하는 제품으로, Gartner Research에 따르면 월 평균 50백만개의 국내시장을 가지고 있습니다.
이번 출시한 제품은 Battery Protection IC Chip 과 MOSFET PWR TR Chip을 1 Package로 구성하여 제품의 슬림화 및 Cost Down을 실현하였으며, 국내 물량 PCM IC 제품의 선두 주자로 발돋움 할 것 입니다.
다) 조직도
이미지: 2009 조직도
2009 조직도
2. 주요 제품 및 원재료 등
가) 주요 제품 등의 현황
2009년 (2009년 1월 1일 ~ 2009년 12월 31일) 당사의 매출액은 총 148,732 백만원으로 전년 대비 1.1% 증가하였습니다.
각 제품별 매출액 및 총 매출액에서 차지하는 비율은 다음과 같습니다.
(단위 : 백만원)
사업부문 매출유형 품 목 구체적용도 주요상표등 매출액
(비율)
전자
부품
제조 제품 TRANSISTOR - 소신호를 증폭, 검파, 정류 또는 스위칭기능을 하는 반도체
- 가전기기, 정보통신기기, 산업용 기기등에 범용적 으로 사용 AUK 등 89,147
(59.94%)
LED/LDM등 - 전기신호를 광신호로 변환하는 반영구적 고휘도의 발광소자
- 전자제품의 판넬표시등 및 전광판 DISPLAY등에
사용 AUK 등 33,932
(22.81%)
IC - 적은면적에 많은 전자회로가 연결되어 하나의 회로 로서 기능을 갖게한 집적회로
- 전자제품등에 범용적으로 사용 AUK 등 8,067
(5.42%)
CHIP - WAFER상에 소자 가공이 끝난 상태
- TRANSISTOR, LED등의 주요 원자재 AUK 등 15,460
(10.39%)
기 타 - 전자기기부품 등 AUK 등 2,127
(1.43%)
계 148,732
나) 주요 제품 등의 가격변동추이 (단위 : 원)
품 목 제 26 기 제 25 기 제 24 기
TRANSISTOR 수 출 16.17 13.43 10.65
내 수 34.62 29.53 26.21
LED/LDM등 수 출 65.49 65.29 55.33
내 수 44.89 39.75 37.83
IC 수 출 89.06 66.85 52.28
내 수 406.49 100.65 211.00
CHIP 수 출 18.02 9.90 8.00
내 수 - - -
주요 제품에 대한 가격변동의 산출기준은 품목별 총 매출액을 총 매출수량으로 나누어 산출하였으며 당사의 제품가격에 대한 주요 변동원인으로는 환율 및 시장가격의 변동이라 할 수 있습니다.
다) 주요 원재료 등의 현황
(단위 : 백만원)
사업부문 매입
유형 품 목 구체적용도 매입액 비율(%) 비 고
전자부품제조 원재료 CHIP 주요원자재 6,235 13.0% MIKRON
원재료 LEAD FRAME Chip에 전기를 공급하고
지지해 주는 역활 10,197 21.3% 신원기술
원재료 EPOXY/COMPOUND Chip을 보호하기 위한
외형 형성 3,859 8.1% KCC
원재료 AU WIRE Chip과 Lead Frame을
연결해 주는 역활 9,145 19.1% 헤라우스오리엔탈
원부재료 기 타 제품 제조 18,433 38.5% 기타
합 계 47,869
라) 주요 원재료 등의 가격변동추이
주요 원재료의 가격변동의 산출기준은 각 품목별 대표(사용량 多)ITEM을 선정하여 산출하였으며, 당사의 원재료등에 대한 주요 변동원인으로는 환율 및 시장가격의 변동, 국제원자재(LME) 가격 변동에 따른 연동, 대체거래처의 개발을 통한 가격인하등을 들수 있습니다.
(단위 : US$, ￥)
품 목 제 26기 제 25기 제 24 기 비고
CHIP 국내(PCS) - - -
수입(PCS) $0.030 $0.030 $0.030 7805M
LEAD FRAME 국내(KPCS) $0.80 $0.790 $0.790 SOT-23M
수입(KPCS) ￥94 ￥96 ￥100 SOT-23M
EPOXY/COMPOUND 국내(KG) $3.80 $3.80 $4.00 TO-22OF
수입(KG) $2.10 $2.10 $2.10 TO-92
AU WIRE 국내(KTF) $105.45 $83.34 $72.77 1.0 mil
수입(KTF) - - -
3. 생산 및 설비에 관한 사항
가) 생산능력 및 생산능력의 산출근거
당사는 국내 및 해외(중국)생산공장을 기준으로 3교대로 작업을 실시하고 있으며 2009년중 품목별작업일수와 1일 작업시간을 기준으로 "품목별 UPH ×1일 작업시간 ×작업일수"의 방법으로 생산능력을 산출하고 있으며, 품목별 UPH(Unit Per Hour)는 해당 품목에서 시간당 최대 생산수량 기준이며, 작업시간은 3교대 기준으로 22.5시간을 1일 작업시간으로 적용하였습니다.
나) 생산실적 및 가동률
당사의 2009년도 생산실적은 115억개로 2008년도 대비 6.07% 감소하였습니다. 또한 2009년 평균 가동율은 65 % (생산실적 115억개, 생산능력 176억개)로 집계 되었습니다,
다) 생산설비의 현황 등
당사는 전북 익산에 본사와 서울 및 각 지역의 영업소를 보유하고 있으며, 생산은 본사(전북 익산)와 해외공장(중국 대련)을 통하여 생산하고 있으며, 연구소(전북 익산)를 포함하여 136,676.9㎡의 자가 토지 및 건물을 소유하고 있습니다. 또한 당사는 POWER MOS FET, 조명용 POWER LED 수요 증가분에 대응하기 위하여 설비 MODIFY 및 LINE LAY-OUT 재 구성등의 환경 개선을 통한 품질 및 생산성 향상을 추진하고 있으며, 향후 계속적인 투자를 진행할 계획 입니다.
1) 생산설비의 현황
(단위 : 백만원)
자산항목 소유
형태 소재지 기초
장부가액 제26기 증감 제26기
상각액 제26기말
장부가액
증가 감소
토지 자가 익산외 9,189 35 18 - 9,207
건물 자가 익산외 31,559 311 36 1,736 30,098
구축물 자가 익산외 219 - - 40 179
기계장치 자가 익산외 15,896 3,166 52 9,736 9,274
차량운반구 자가 익산 4 - - 2 2
공구와기구 자가 익산외 1,225 676 4 814 1,084
비품 자가 익산외 219 101 2 141 177
합계 58,311 4,289 112 12,469 50,021
2) 향후 투자계획
(단위 : 백만원)
사업
부문 계획
명칭 예상투자총액 연도별 예상투자액 투자효과 비고
자산
형태 금 액 제27기
(2010년) 제28기
(2011년) 제29기
(2012년)
Assembly등 증설
및 신규 기계
기구외 16,179 8,719 4,000 4,000 생산능력
증가
Wafer
FAB 증설
및 신규 기계
기구외 18,290 12,290 3,000 3,000 생산능력
증가
합 계 34,469 20,469 7,000 7,000
※ 향후 3년간 투자에 대한 예상계획이며, 향후 변동될 수 있습니다.
라) 매출에 관한 사항
당사의 주요 매출은 본사에서 진행 되며, 주요 판매 형태는 국내대리점 및 당사 영업사원을 통한 내수판매, LOCAL 수출, DIRECT 수출 및 해외 현지법인을 통한 수출판매가 있습니다. 판매경로별 매출액 비중은 내수판매가 22.26 %, 수출판매가 77.74%입니다.
당사의 판매조직은 별도의 영업본부가 있으며 전체인원의 7.2 %에 해당하는 54명이 소속되어 있습니다. 또한 ①신제품개발을 통하여 소비자 수요 창출, ② 적기납품을 통하여 소비자 욕구 충족, ③Technical Service의 강화, ④ 소비자 지향운동을 통한 영업력 강화, ⑤ 원가절감을 통한 가격 경쟁력 확보, ⑥ 적정재고 확보의 판매전략을 가지고 있으며, 당사는 또한 대내외적인 경제환경변화와 그에 따른 수요 변화를정확하게 예측하기 어렵기때문에 선 수주분에 대한 확정된 수주분에 대하여만 관리하고 있습니다. (대략 3개월분에 대하여 선 수주 요청하며, 1개월단위 확정하고 있습니다.)
[ 당사의 2009년 품목별 수출 및 내수 판매 현황 입니다.]
(단위 : 백만개, 백만원)
사업
부문 매출
유형 품 목 제 26 기 제 25 기 제 24 기
수량 금액 수량 금액 수량 금액
전자
부품
제조 제품 TRANSISTOR 수 출 4,317 69,827 5,903 79,307 6,295 67,064
내 수 558 19,319 599 17,692 582 15,253
합 계 4,875 89,147 6,502 96,999 6,877 82,317
LED/LDM등 수 출 399 26,152 385 25,168 323 17,871
내 수 173 7,780 202 8,021 205 7,756
합 계 573 33,932 587 33,189 528 25,627
I.C 수 출 73 6,515 69 4,636 90 4,705
내 수 4 1,552 7 771 6 1,266
합 계 77 8,067 76 5,407 96 5,971
CHIP,WAFER 수 출 655 11,799 707 7,522 702 5,620
내 수 - 3,661 - 953 - 102
합 계 656 15,460 708 8,475 703 5,722
기타 수 출 - 1,334 - 2,163 - 1,624
내 수 - 793 - 947 - 1,468
합 계 - 2,127 - 3,110 - 3,092
합 계 수 출 - 115,627 - 118,796 - 96,884
내 수 - 33,105 - 28,384 - 25,845
합 계 - 148,732 - 147,180 - 122,729
마) 시장위험 및 위험관리
당사는 해외고객 등과의 무역거래에서 발생하는 외화수금이 원자재 수입에 의한 외화지출보다 많은 현금흐름을 가지고 있으므로 환율하락에 따른 환차손이 환리스크에따른 주요 위험이라 할 수 있으며, 본 위험의 불확실한 시장위험을 최소화하기 위하여 체계적이고 효율적인 환리스크 관리를 위하여 국내외 금융기관과 환리스크 관리에 대한 의견을 지속적으로 교류하고 있습니다. 또한 외환관리규정 제정 및 환리스크관리를 위한 전담인원을 배정하여 효율적이고 안정적으로 환리스크 관리 체제를 유지하고 있습니다. 당사는 외환파생 상품을 환위험 헤지 목적으로 운용하고 있지 않으며 외화자산 및 부채의 Balance 측정 후 적정 Hedge를 통한 Risk를 관리하고 있습니다
바) 파생상품 거래 현황
당사는 사업보고서일 현재 파생상품계약을 체결하지 않았습니다.
사) 경영상의 주요계약 등
당사는 사업보고서일 현재 회사의 재무상태에 중요한 영향을 미치는 비경상적인 중요계약은 없습니다.
아) 연구개발활동
당사는 향후 기술경쟁력 확보를 위하여 "연구전담인원 28명"이 소속된 상품설계실을 보유하고 있으며 향후 지속적인 투자를 진행할 계획입니다.
[당사의 2009년 연구개발관련 비용 입니다.]
(단위 : 백만원)
과 목 제26기 제25기 제24기 비 고
원 재 료 비 871 429 927
인 건 비 2,218 2,343 2,147
감 가 상 각 비 - - -
위 탁 용 역 비 308 406 -
기 타 184 971 615
연구개발비용계 3,581 4,149 3,738
회계처리 판매비와관리비 및 제조경비 3,146 4,149 3,738
개발비 및 건설중자산 435 0 0
연구개발비 / 매출액 비율
[연구개발비용계÷당기매출액×100] 2.40% 2.82% 3.05%
[ 당사의 2009년 연구개발 실적 입니다. ]
1) PD-2222, PD-4545 (Photo Diode) Custom Device 제품 개발 2종
과제명 PD-2222, PD-4545 Photo Diode 5inch conversion 신규 제품 개발 2종(Custom Device)
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2008.09.29 ~ 2009.02.12
연구결과 및 기대효과 3inch Photo Detector 소자 중 외관 및 VF 특성 불량 문제 해결을 위해 특성 개선
5inch conversion 개발 진행 =>소량 다품종 중 출하량 많은 ITEM 2종 우선순위 선정
사업화 여부(상품화) 상품화 평가 완료
2) SD-119, SD-219 (자사 1.09mm×1.09mm) Photo Diode 개발 2종
과제명 SD-119, SD-219 (자사 1.09mm×1.09mm) Photo Diode 개발 2종
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2008.10.17 ~ 2009.03.27
연구결과 및 기대효과 외주 구매품 자사 대체 전환
자사 Photo Diode 적용시 외주 Chip 대비 원가 경쟁력 있음
사업화 여부(상품화) 상품화 평가 완료
3) ST-120 (80V Photo TR) 신규 제품 개발 1종
과제명 ST-120 (자사 0.415mm×0.415mm) 80V Photo TR 개발 1종
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2008.10.05 ~ 2009.04.18
연구결과 및 기대효과 80V급 Photo TR 신규 개발을 통한 Photo Coupler 시장 진입
기존 35V급 TD1-06 Chip과 차별화 되어 있고 Chip Size도 45% Shrink 되어 있음.
* Application 및 주요 고객 Target : Photo Coupler , 대만
WF Level 판매이며 자사 공정 적용시 외주 Chip 대비 원가 경쟁력 충분함.
사업화 여부(상품화) 상품화 평가 완료 , 양산이관 준비 중
4) AST-0460 (80V Photo TR) 신규 제품 개발 1종
과제명 AST-0460 (자사 0.46mm×0.46mm) 80V Photo TR 개발 1종
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2009.03.02 ~ 2009.05.21
연구결과 및 기대효과 80V급 Photo TR 신규 추가 개발을 통한 Photo Coupler 시장 진입
기존 80V급 Photo TR ST-118 Chip 설계 기반으로 추가 Line-up 개발
* Application 및 주요 고객 Target : Photo Coupler , 대만
WF Level 판매이며 자사 공정 적용시 외주 Chip 대비 원가 경쟁력 충분함.
사업화 여부(상품화) 상품화 평가 완료 , 양산이관 준비 중
5) 6inch 18V ZENER Diode 신규 제품 개발 1종
과제명 6BD-18V (SDZ18VWA) 6inch 신규 공정 및 Conversion 개발 1종
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2009.03.02 ~ 2009.05.21
연구결과 및 기대효과 6inch conversion 개발을 통한 신상품 매출 기여
6inch MESA 공정 적용하여 High Voltage ZENER Diode Line-up 개발 추진
*현재 SDZ18VWA 양산 출하 중임
*외주 Chip 소싱시 구입가격이 자사 제품대비 37%이상 높음
금번 제품 개발을 통해 자사 제품 적용시 원가 경쟁력이 충분히 있슴
* 시장 : 42" LCD용 인버터, SOT-23, Common type
사업화 여부(상품화) 상품화 평가 완료, 양산 중
6) 6BD-703(FM Tuning VARICAP Diode) 공정 개선 및 제품 개발 1종
과제명 FM Tuner VARICAP Diode (SDV703WK) 공정 개선 및 6inch 제품 개발 Line-up
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2008.12.10 ~ 2009.05.21
연구결과 및 기대효과 6inch conversion 개발을 통한 CAP Rank 적중률 개선
6inch MESA 공정 적용 및 Chip Shrink 추가하여 제품 경쟁력 확보
* 시장 : FM TUNER
사업화 여부(상품화) 상품화 평가 완료, 양산 대체 일정 수립 중
7) SD-212(Photo Diode) 신규 제품 개발 1종
과제명 SD-212 Photo Diode 신규 Chip Shrink 개발
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2008.10.22 ~ 2009.06.01
연구결과 및 기대효과 Remocon Module 적용 Photo Diode 신규 Chip Shrink 개발
사업화 여부(상품화) 상품화 평가 완료, 양산이관 완료
8) AZO-Photo Diode 신규 제품 평가 1종
과제명 반사방지막으로 AZO(투명 N 전극 메탈) 적용 Photo Diode 수광효율 평가
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2009.03.23 ~ 2009.06.10
연구결과 및 기대효과 Remocon Module 적용 Photo Diode에 반사방지막 변경 적용을 통한 수광효율 Up 및 동작거리 개선 (반사 방지막 AZO 채용)
- FAB 공정 : 반사방지막 조건 (AZO 구조 3조건) 감안하여 공정 별도 Set-up 진행함
* 단품 조립 평가 결과 : 기 양산중인 Photo Diode와 비교시 수광 특성 동등함
사업화 여부(상품화) 상품화 평가 완료
9) AST-0415 (80V Photo TR) 신규 제품 개발 1종
과제명 AST-0415 (자사 0.415mm×0.415mm) 80V Photo TR 추가 개발 1종
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2009.04.03 ~ 2009.06.18
연구결과 및 기대효과 자사 2단 EPI Technology 적용 80V급 Photo TR 신규 추가 Line-up 개발
기존 80V급 Photo TR ST-118 Chip 설계 기반으로 추가 개발 line-up 완료
* Application 및 주요 고객 Target : Photo Coupler , 대만
WF Level 판매이며 자사 공정 적용시 외주 Chip 대비 원가 경쟁력 충분함.
사업화 여부(상품화) 상품화 평가 완료 , 양산이관 준비 중
10) 6BD-705(TV Tuner VARICAP Diode) 공정 개선 및 제품 개발 1종
과제명 TV Tuner VARICAP Diode(SDV705Q/D) 공정 개선 및 제품 개발
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2009.02.05 ~ 2009.07.02
연구결과 및 기대효과 자사 High Voltage Tuning TV Tuner VARICAP Diode 신규 개발 (공정 및 제품)
* TV Tuner : VHF 대역 SDV705Q line-up 구축… Operation Voltage 25V
*경쟁사 대비 C-V Linear 특성 우세함
*6inch 공정 적용 개발로 가격 경쟁력 있음
사업화 여부(상품화) 상품화 평가 완료
11) SD-219 (Photo Diode) 재현성 및 개선 개발 1종
과제명 SD-219 (자사 1.09mm×1.09mm) Photo Diode 개선 개발 1종
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2009.04.22 ~ 2009.06.26
연구결과 및 기대효과 자사 1.09㎜×1.09㎜ 신규 Photo Diode METAL PAD 확대 및 분광감도 개선 개발
* METAL PAD 확대 요청으로 신규 추가 제작 진행, 재현성 평가 완료
* 자사 Photo Diode 적용시 외주 Chip 대비 원가 경쟁력 있음
사업화 여부(상품화) 상품화 평가 완료, 양산이관 준비 중
12) 6BD-711(VCO VARICAP Diode) 공정 개선 및 제품 개발 1종
과제명 16pF VCO VARICAP Diode (SDV711Q) 공정 개선 및 제품 개발 Line-up
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2008.10.29 ~ 2009.07.02
연구결과 및 기대효과 EPI 재현성 및 제조원가 개선하고자 Normal EPI 구조에 Double N 확산 구조로 전환
*현 자사 Thin EPI 성장 기술과 Hyper Abrupt Profile 구현을 위한 Double Diffusion 구조 *Cap 특성 안정화를 위한 MESA & Low Temp Process 양산성 확보.
*6inch 공정 적용 개발로 가격 경쟁력 있음,
* 시장 : Mobile용 VCO Varicap Diode
사업화 여부(상품화) 상품화 평가 완료, Promotion 준비
13) BIP IC Process 개발
과제명 BIP IC Process 개발
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2008.01.01 ~ 2009.03.30
연구결과 및 기대효과 Bipolar IC Process Line-up (40V / 50V 공정)
Test Vehicle (IC Product) 개발 진행
사업화 여부(상품화) Regulator IC 등 다수 제품 Line-up 진행 중
14) SMK0825(250V/8A) Power MOSFET 개발
과제명 SMK0825(250V/8A) Power MOSFET 개발 -> Set : Inverter에 적용
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2008.10.06 ~ 2009.02.01
연구결과 및 기대효과 특성 개선을 통한 품질 안정화 및 원가 경쟁력 확보를 통한 이익 증대
* 특성 개선 : 낮은 A*Rds(on), 향상된 BV 효율, 낮은 Qg, 높은 안정성
사업화 여부(상품화) 상품화 완료, 양산 예정
15) SMK1820(200V/18A) Power MOSFET 개발
과제명 SMK1820(200V/18A) Power MOSFET 개발 -> Set : LCD, PDP에 적용
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2008.10.07 ~ 2009.02.01
연구결과 및 기대효과 특성 개선을 통한 품질 안정화 및 원가 경쟁력 확보를 통한 이익 증대
* 특성 개선 : 낮은 A*Rds(on), 향상된 BV 효율, 낮은 Qg, 높은 안정성
사업화 여부(상품화) 상품화 완료, 양산 예정
16) SMK1625(250V/16A) Power MOSFET 개발 -> Set : SMPS
과제명 SMK1625(250V/16A) Power MOSFET 개발 -> Set : SMPS에 적용
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2008.10.08 ~ 2009.02.01
연구결과 및 기대효과 특성 개선을 통한 품질 안정화 및 원가 경쟁력 확보를 통한 이익 증대
* 특성 개선 : 낮은 A*Rds(on), 향상된 BV 효율, 낮은 Qg, 높은 안정성
사업화 여부(상품화) 상품화 완료, 양산 예정
17) SMK0465(650V/4A) Power MOSFET 개발 -> Set : SMPS, LIPS
과제명 SMK0465(650V/4A) Power MOSFET 개발 -> Set : SMPS, LIPS에 적용
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2008.05.02 ~ 2009.02.25
연구결과 및 기대효과 특성 개선을 통한 품질 안정화 및 원가 경쟁력 확보를 통한 이익 증대
* 특성 개선 : 낮은 A*Rds(on), 향상된 BV 효율, 낮은 Qg, 높은 안정성
사업화 여부(상품화) 상품화 완료, 양산 예정
18) SMK0160(600V/0.3A) Power MOSFET 개발 -> Set : Adaptor
과제명 SMK0160(600V/0.3A) Power MOSFET 개발 -> Set : Adaptor에 적용
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2008.10.08 ~ 2009.03.31
연구결과 및 기대효과 특성 개선을 통한 품질 안정화 및 원가 경쟁력 확보를 통한 이익 증대
* 특성 개선 : 낮은 A*Rds(on), 향상된 BV 효율, 낮은 Qg, 높은 안정성
사업화 여부(상품화) 상품화 완료, 양산 예정
19) SMK0170(700V/0.3A) Power MOSFET 개발 -> Set : Adaptor
과제명 SMK0170(700V/0.3A) Power MOSFET 개발 -> Set : Adaptor에 적용
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2008.10.08 ~ 2009.03.31
연구결과 및 기대효과 특성 개선을 통한 품질 안정화 및 원가 경쟁력을 확보를 통한 이익 증대
* 특성 개선 : 낮은 A*Rds(on), 향상된 BV 효율, 낮은 Qg, 높은 안정성
사업화 여부(상품화) 상품화 완료, 양산 예정
20) SMK0765(650V/7A) Power MOSFET 개발 -> Set : SMPS
과제명 SMK0765(650V/7A) Power MOSFET 개발 -> Set : SMPS
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2008.07.10 ~ 2009.05.01
연구결과 및 기대효과 특성 개선을 통한 품질 안정화 및 원가 경쟁력을 확보를 통한 이익 증대
* 특성 개선 : 낮은 A*Rds(on), 향상된 BV 효율, 낮은 Qg, 높은 안정성
사업화 여부(상품화) 상품화 완료, 양산 예정
21) SMK1040(400V/10A) Power MOSFET 개발 -> Set : Ballast, HID
과제명 SMK1040(400V/10A) Power MOSFET 개발 -> Set : Ballast, HID
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2008.04.28 ~ 2009.05.20
연구결과 및 기대효과 특성 개선을 통한 품질 안정화 및 원가 경쟁력을 확보를 통한 이익 증대
* 특성 개선 : 낮은 A*Rds(on), 향상된 BV 효율, 낮은 Qg, 높은 안정성
사업화 여부(상품화) 상품화 완료, 양산 예정
22) SMK1350(500V/13A) Power MOSFET 개발 -> Set : LED Lighting
과제명 SMK1350(500V/13A) Power MOSFET 개발 -> Set : LED Lighting
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2008.11.10 ~ 2009.05.26
연구결과 및 기대효과 500V급 High Current 제품 신규 Line-up을 통한 매출 및 이익 증대
* 특징 : 낮은 A*Rds(on), 향상된 BV 효율, 낮은 Qg, 높은 안정성
사업화 여부(상품화) 상품화 완료, 현재 홍콩/중국시장 판매 中
23) 20V,22V,24V High Voltage Zener Diode 6inch Conversion 제품 개발 3종
과제명 6BD-20V/22V/24V 6 inch Conversion 제품개발 & Line-up
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2009.04.17 ~ 2009.08.07
연구결과 및 기대효과 5inch 기 개발완료 하였으나 재현성이 없어 6inch conversion 개발을 통한 신상품 매출기여
현 인버터 전원단이 LCD 모니터의 Size 대형화로 기존과 비교시 High Volatge 전원단을 사용함에 따라 Application에 맞는 제품군 Line-up을 통한 제품 대응 가능함
* 시장 : 42" LCD용 인버터
사업화 여부(상품화) 상품화 완료, 양산 이관 완료 , 초도평가 투입 준비
24) ALS-Photo Diode 신규 제품 공정 평가 1종
과제명 시감도 센서 공정 및 광 특성 평가 (Si Wafer Level IR-Cut Filter 적용)
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2009.04.06 ~ 2009.08.26 [5개월]
연구결과 및 기대효과 * 목적 : 시감도 센서 파장 구현을 위한 IR 대역 차단하기 위한 방법으로 Si-WF Level IR-Cut Filter 증착하여 공정 구현 방법 및 Color PR 적용 검토 평가 진행하여 시감도 대역 광 특성 확인
* 단품 조립후 광특성 평가 결과 : IR 대역 차단 효과 있으며 공정 구현 가능성 확인함
사업화 여부(상품화) 과제 평가 완료(단품 평가 결과 WF Level 구현 가능성 확인) , 현 상태 결과 마무리
25) SDS21WK , SDS21WM (200V/0.2A) Switching Diode 제품 개발 2종
과제명 200V/0.2A Switching Diode (Chip명=BD-112) 공정 및 제품 개발
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2009.05.14 ~ 2009.09.30 [4.5개월]
연구결과 및 기대효과 자사 200V Small Current Level Switching Diode 신규 개발 제품 2종
- Switching 특성 (trr=~50ns) 구현을 위해 Life-time killer 조건 적용 평가 진행함
- 200V급 구현위한 Pattern 설계 구조 optimize 및 자사 신규 Line-up
사업화 여부(상품화) 상품화 평가 완료, Promotion 완료, 재현성 평가 후 신뢰성 진행 예정
26) PD-222D,PD-4545D(Photo Diode) Custom Device 추가 파생 개선제품 개발
과제명 기 PD-2222, PD-4545 Photo Diode 원자재 변경 Peak 파장 개선 개발
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2009.09.25 ~ 2009.11.26 [2개월]
연구결과 및 기대효과 현 3INCH Photo Detector 소자 중 외관 및 VF 특성 불량 문제 해결을 위해 특성개선
5inch conversion 개발진행한 상태에서 peak 파장 추가 개선개발 요청
사업화 여부(상품화) 상품화 평가 완료, KC 내부 신뢰성 진행 중
27) 6inch, SDZ18VG 공정보완 파생개발 1종
과제명 6BD-18V (SDZ18VG) 500mW급 PKG 파생 개발 1종
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2009.09.30 ~ 2009.12.18 [3개월]
연구결과 및 기대효과 영업의 삼성 VD 사업부 500mW 급 Mini Melf Diode 에서 SOD-123PKG ZENER 이원화 신규승인 추진 진행
기 개발완료한 6BD-18V Chip 적용 SOD-123PKG 파생검토 진행에 따른 공정상의 문제점 보완하여 신뢰성 문제 해결함. (공정상 열처리 공정 추가 보완함)
사업화 여부(상품화) 상품화 완료, Chip 양산 중 [자사 개발품 Chip 대체 출하 일정 수립 중 ~2010년 2Q]
28) 6inch, SDZ5V6G(SOD-123PKG) 파생개발 1종
과제명 6BD-5V6 (SDZ5V6G) SOD-123 PKG 파생 개발 1종
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2009.09.22 ~ 2009.12.15 [2.5개월]
연구결과 및 기대효과 영업의 삼성VD 사업부 500mW급 Mini Melf Diode에서 SOD-123PKG ZENER 이원화 신규 승인 감안하여 내부 추가 Line-up 검토 및 파생 개발로 추후 대체 적용 매출 기여하고자 함.
사업화 여부(상품화) 상품화 완료, Chip 양산 중 [자사 개발품 Chip 대체 출하 일정 수립 중 ~2010년 2Q]
29) DS3-27 (Photo Diode) Custom Device 제품 개발 1종
과제명 4inch Photo Diode HPI-27 → 5inch conversion 신규 제품 개발 1종(Custom Device)
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2009.09.23 ~ 2009.12.17 [5개월]
연구결과 및 기대효과 4inch Photo Detector 소자 (HPI-27) → 5inch Conversion 개발
Chip Cost 경쟁력 확보 및 자사 신규 제품 Line-up을 통한 매출 기여 효과
사업화 여부(상품화) 개발완료, 상품화 평가 완료, 양산이관 대기 중 [수주 계획 별도]
30) 6BD-704(TV Tuner VARICAP Diode) 공정 개선 및 제품 개발 1종
과제명 TV Tuner VARICAP Diode(SDV704Q) 공정 개선 및 제품 개발_신뢰성 검증 포함
연구기관 당사 상품설계실
연구기간 2009.09.10 ~ 2009.12.29 [5개월]_재현성 평가 및 신뢰성 검증 500시간 일정 포함
연구결과 및 기대효과 자사 High Voltage Tuning TV Tuner VARICAP Diode 신규 개발 (공정 및 제품)
TV Tuner : VHF 대역 SDV704Q 개발로 line-up 구축 완료… Operation Voltage 25V
현 자사 Thin EPI 성장 기술과 Hyper Abrupt Profile 구현을 위한 Double Diffusion 구조 채용
경쟁사 대비 C-V Linear 특성 우세함
사업화 여부(상품화) 상품화 완료, Promotion 중(한국 알프스 SET 평가), 양산 이관 완료 (2010.1.28)
자) 기타 투자의사결정에 필요한 사항
[제26기 사업보고서 제출일 현재 당사가 보유하고 있는 특허권등의 현황입니다.]
NO. 권리 명칭 등록국가
1 특허 미세구조물 패키징방법 대한민국
2 특허 반도체 실리콘 가속도센서 대한민국
3 특허 자기정렬을 통한 전력용 수직 더불 게이트 모스페트의 구조 및 제조방법 대한민국
4 특허 형광제를 이용한 백색 발광 다이오드의 구조 및 제조방법 대한민국
5 특허 순간 전압 억제 다이오드 대한민국
6 특허 메쉬 실드 메탈 라인 포토 다이오드 설계 구조 대한민국
7 특허 고방열 구조를 갖는 반도체 패키지 대한민국
8 특허 수광소자 및 전기적 기능소자를 포함하는 발광다이오드 대한민국
9 특허 지향성 발광다이오드의 구조 대한민국
10 특허 칩 발광다이오드 대한민국
11 특허 반도체 소자 대한민국
12 특허 반도체 소자의 제조방법 대한민국
13 실용신안 전압레귤레이터의 제조방법 대한민국
14 특허 전압레귤레이터의 제조방법 미국
15 특허 전압레귤레이터의 제조방법 일본
16 특허 전압레귤레이터의 제조방법 중국
17 특허 전압레귤레이터의 제조방법 대만
18 특허 파워패키지 리드프레임 대한민국
19 특허 파워패키지 리드프레임 미국
20 특허 파워패키지 리드프레임 일본
21 특허 파워패키지 리드프레임 중국
22 특허 파워패키지 리드프레임 대만
23 특허 광반도체 소자의 제조방법(2Mold LED) 대한민국
24 특허 광반도체 소자의 제조방법(2Mold LED) 미국
25 특허 광반도체 소자의 제조방법(2Mold LED) 일본
26 특허 광반도체 소자의 제조방법(2Mold LED) 중국
27 특허 광반도체 소자의 제조방법(2Mold LED) 대만